Я понял!
— это концентрация электронов (проводимости) по отношению к концентрации положительных ионов кристаллической решетки, принятой за
. Поэтому суммарная концентрация зарядов равна
, и она выступает в качестве плотности источников электрического поля в уравнении
.
Дальше, уравнение
, наоборот, описывает, как влияет поле на концентрацию электронов: она растет в направлении, противоположном направлению поля (электроны стремятся скатиться в яму). Собственно,
пропорционален энергии электрона
. Так что совсем физичной подстановкой было бы
.
Конечно, здесь всё нормировано, и мы не видим всяких констант, характеризующих свойства вещества и т.д.
Хоть примерно правильно?
В точку. Абсолютно правильно.
Задачка простая - численно решить
систему (7)-(13), (правда, я пока не рассматриваю
и уравнение (11))
в прямоугольной системе координат на плоскости и в пространстве.
Наше обсуждение касается уравнений (12), (13). Модель из статьи описывает качественную динамику
структур (рис.1a-d), хотя типы структур разнообразны (рис.1e-f).
Решал уравнение движения в 2d постановке, а двумерное поле (и концентрацию электронов) делал вращением,
либо параллельным переносом из одномерного (5), (6) и получал распределения рис.2.a-c.
Хотелось бы решить задачу в полной 2d и 3d постановке.
Потому, и обратился с вопросом.