2014 dxdy logo

Научный форум dxdy

Математика, Физика, Computer Science, Machine Learning, LaTeX, Механика и Техника, Химия,
Биология и Медицина, Экономика и Финансовая Математика, Гуманитарные науки




Начать новую тему Ответить на тему
 
 Количество энергетических уровней в зоне проводимости
Сообщение24.08.2024, 16:33 


16/12/20
155
sergey zhukov в сообщении #1625166 писал(а):
reterty
в статике внутри проводника со свободными зарядами (в непрерывном пределе) поля быть не может

В идеальном проводнике. Попутный вопрос. Имеется проводник длиной L диаметром D массой M с количеством атомов N. Какое количество энергетических уровней в зоне проводимости будут иметь электроны этого проводника?

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение24.08.2024, 17:46 


27/08/16
10195
Serg53 в сообщении #1651270 писал(а):
В идеальном проводнике.
В однородном и при постоянной в пространстве температуре. Идеальность не нужна.

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение24.08.2024, 18:30 
Заслуженный участник
Аватара пользователя


01/09/13
4656
realeugene в сообщении #1651279 писал(а):
при постоянной в пространстве температуре

Ага, причём при нулевой...

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение24.08.2024, 18:36 


27/08/16
10195
Geen в сообщении #1651282 писал(а):
Ага, причём при нулевой...

Зачем?

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение25.08.2024, 06:45 


16/12/20
155
realeugene в сообщении #1651279 писал(а):
В однородном и при постоянной в пространстве температуре. Идеальность не нужна.

Постоянный электрический ток течёт по всему сечению проводника, независимо от температуры, дислокаций и неоднородностей металла. Каким образом электроны передвигались бы внутри, если бы там не было электрического поля?

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение25.08.2024, 17:21 
Заслуженный участник


29/09/14
1241
Serg53
Serg53 в сообщении #1651270 писал(а):
Имеется проводник длиной L диаметром D массой M с количеством атомов N. Какое количество энергетических уровней в зоне проводимости будут иметь электроны этого проводника?

Ответ зависит от вида кристаллической решётки конкретного металла и от свойств атомов в элементарной ячейке кристаллической решётки.

В физике твердых тел (ФТТ) есть вот какой факт. В простейших моделях кристаллических твердых тел элекронные состояния в каждой энергетической зоне нумеруются волновым вектором $\mathbf{k}$ и проекцией спина $s.$ Волновой вектор пробегает дискретные значения в так называемой первой зоне Бриллюэна; количество этих значений равно количеству $N$ элементарных ячеек в образце. Спиновое квантовое число $s$ принимает $2$ значения. Таким образом, в каждой энергетической зоне имеется $2N$ электронных состояний. Согласно принципу Паули, каждое состояние может быть заполнено только одним электроном или может быть не занято.

Значит, если на одну элементарную ячейку приходится $1$ атом, то количество элементарных ячеек $N$ равно количеству атомов в образце. При этом в каждой зоне, в том числе в зоне проводимости, имеется $2N$ состояний для электронов. В зоне проводимости находятся валентные электроны атомов. Значит, если атомы одновалентные, т.е. если каждый атом дает в зону проводимости по одному электрону, то получается наполовину заполненная зона проводимости: $2N$ состояний заселены $N$ электронами. Такое твердое тело имеет свойства проводника (металла). Это верно вообще для случаев, когда на одну элементарную ячейку приходится один электрон проводимости, и разные зоны на шкале энергии не перекрываются. Пример: одновалентные металлы Li, Na, K, Rb, Cs и "благородные" металлы Cu, Ag, Au.

Если в одной элементарной ячейке два (или более) атома, то всё зависит от того, сколько электронов они дают в элементарную ячейку. При чётном количестве атомов в ячейке имеется и чётное количество электронов в ячейке. В таких случаях, по крайней мере в некоторых, все $2N$ состояний наивысшей заполняемой электронами зоны могут оказаться заселёнными. Такой кристалл ведёт себя как диэлектрик; или - как полупроводник, если энергетическая щель ("запрещённая зона"), отделяющая заполненную зону от лежащей выше на шкале энергии не занятой зоны, достаточно мала.

Картина электронной зонной структуры в конкретном материале может быть сложной, она зависит от конкретных параметров атомов и кристаллической решётки. Если полностью заселённая зона перекрывается по энергии с лежащей выше пустой зоной, то образуется единая частично заполненная зона проводимости; такой кристалл называют полуметаллом, он ведёт себя как проводник.

Методы расчёта зонной структуры и методы её экспериментального исследования - это большая наука, обширная область в материаловедении. Притом, само понятие одноэлектронного зонного спектра энергии не всегда безусловно применимо.

Ну а если пренебречь всеми множителями "порядка единицы" (количеством атомов в одной элементарной ячейке, спиновой двойкой, нюансами зонной структуры), то, грубо говоря, количество электронных состояний в зоне проводимости по порядку величины близко к количеству атомов в образце.

Дискуссионным вопрос о зонной структуре мог бы быть, если бы речь шла о сравнении преимуществ и недостатков разных методов расчёта или экспериментальных методов в применении к конкретному мало изученному веществу.

А в простой постановке вопрос о количестве уровней в зоне проводимости - для форумного раздела ПРР(Ф). Есть много учебников по ФТТ, в них есть ответ; см., например, djvu-сканы книг в библиотеке eqworld: ФТТ. Например, см.:

Займан Дж. Принципы теории твердого тела. гл. 4, § 1. "Типы твердых тел. Зонная картина".

(В предыдущих главах там рассказано об основных понятиях, в том числе про зону Бриллюэна и т.п.)

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение25.08.2024, 19:23 


16/12/20
155
Cos(x-pi/2) в сообщении #1651421 писал(а):
если пренебречь всеми множителями "порядка единицы" (количеством атомов в одной элементарной ячейке, спиновой двойкой, нюансами зонной структуры), то, грубо говоря, количество электронных состояний в зоне проводимости по порядку величины близко к количеству атомов в образце.

Большое спасибо за подробный и обстоятельный ответ. Если предположить, что ширина зоны проводимости порядка одного электрон-вольта, а количество атомов ~ 10^23 штук, то разность энергий между соседними уровнями будет примерно 10^-23 электрон-вольт. Так? Такая величина могла бы соответствовать энергии очень, очень длинноволнового фотона с длиной волны примерно 10 световых лет! Возможно ли существование такого гипотетического объекта?
Cos(x-pi/2) в сообщении #1651421 писал(а):
Картина электронной зонной структуры в конкретном материале может быть сложной, она зависит от конкретных параметров атомов и кристаллической решётки. Если полностью заселённая зона перекрывается по энергии с лежащей выше пустой зоной, то образуется единая частично заполненная зона проводимости; такой кристалл называют полуметаллом, он ведёт себя как проводник.

А графит, к какому типу материала можно отнести - проводник или полупроводник?

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение25.08.2024, 21:21 


27/08/16
10195
Serg53 в сообщении #1651345 писал(а):
Постоянный электрический ток

При наличии тока - да. Я имел в виду статику.

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение26.08.2024, 01:36 
Заслуженный участник


29/09/14
1241
Serg53 в сообщении #1651467 писал(а):
Если предположить, что ширина зоны проводимости порядка одного электрон-вольта, а количество атомов ~ 10^23 штук, то разность энергий между соседними уровнями будет примерно 10^-23 электрон-вольт.
Да, так, если оценивать очень приближённо.

Строго говоря, количество уровней энергии и количество состояний это не одно и тоже. Ведь состояния с волновыми векторами разного направления могут иметь одинаковую энергию (в частности, состояния с противоположно направленными волновыми векторами имеют один и тот же уровень энергии: $\varepsilon_{\mathbf{k}}=\varepsilon_{\mathbf{-k}})$. Есть специальное понятие - энергетическая плотность состояний $ g(\varepsilon). $ Эта функция показывает, как в данной зоне состояния распределены по шкале энергии: $g(\varepsilon)\,d\varepsilon$ равно числу состояний в интервале энергии $d\varepsilon$ в окрестности значения $\varepsilon.$ У краёв зоны плотность состояний стремится к нулю. В середине зоны плотность состояний имеет максимум (вернее, там возможна сложная картина с несколькими локальными экстремумами, зависящая от деталей энергетического спектра $\varepsilon_{\mathbf{k}}$ как функции от волнового вектора $\mathbf{k}).$

Т.е. уровни распределены на шкале энергии не равномерно. Но для рассуждений грубого качественного порядка да, можно считать, что в макроскопическом образце зазоры между уровнями это ничтожно малые величины - порядка ширины зоны, делённой на количество атомов. Физически это означает, что дискретность уровней существенна только для подсчёта заполнения зоны электронами (в соответствии с принципом Паули), а в остальных реально наблюдаемых эффектах зазоры между уровнями не проявляются. Эти зазоры малы по сравнению уширением $\Gamma$ уровней из-за имеющейся на практике нестационарности электронных состояний: $\Gamma \sim \hbar/\tau,$ где $\tau$ - время жизни состояния. Зазоры малы и по сравнению с энергией имеющихся на практике тепловых флуктуаций порядка $k_BT,$ где $k_B$ - постоянная Больцмана, $T$ - температура кристалла. В этом плане спектр энергии электронов в зоне проводимости можно считать непрерывным.

Тепловыми флуктуациями электроны всё время хаотично разбрасываются по уровням в интервале порядка $k_BT$ на шкале энергии там, где соседствуют занятые и свободные состояния. Такие переходы электронов с уровня на уровень могут сопровождаться излучением (и поглощением) фотонов с энергией порядка $k_BT$ - это наблюдаемое тепловое излучение тела, имеющего не равную нулю температуру $T.$ Точнее говоря, спектр теплового излучения широкий. Вклад в тепловое излучение от фотонов с малой энергией $\hbar\omega \ll k_BT$ мал, он стремится к нулю при $\hbar\omega \to 0.$ Поэтому фотоны с такой ничтожной энергией, как энергия зазоров между уровнями энергии в макроскопическом образце, думаю, обсуждать нет смысла.


Serg53 в сообщении #1651467 писал(а):
А графит, к какому типу материала можно отнести - проводник или полупроводник?
Проводник. (Нет данных о наличии в графите запрещённой зоны, которая отделяла бы полностью занятую электронами зону от (почти) пустой зоны проводимости, как в полупроводниках.)

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение26.08.2024, 04:33 


29/01/09
599
Serg53 в сообщении #1651467 писал(а):
то разность энергий между соседними уровнями будет примерно 10^-23 электрон-вольт.

не.. не ..так... при взаимодействии двух двухуровневых квантовых систем у нас 4 ка было 4 состояния так и осталось, только сняолось вырождение уровней ввиду взаимодействия... если 3 квантовых системы 8 состояния- как было так и осталось... Ну так далее... Если было 10^23 квантоваых систем то уровней $2^{10^23}$ состояний с математической точкой зрения... С физическо -инженерное точки зрения из этого факта следует что энергетический расстояния между ближайшими уровнями настолько близко, что неразлисчимо ни одним даже самыми перспективным физическим прибором - то есть уровни вырождены и образуют непрерынвный спектр (с плотностью зависящей от деталей взаимодействия)

-- Пн авг 26, 2024 05:36:29 --

Cos(x-pi/2) в сообщении #1651563 писал(а):
(Нет данных о наличии в графите запрещённой зоны, которая отделяла бы полностью занятую электронами зону от (почти) пустой зоны проводимости, как в полупроводниках.)

А как тогда на графене (из слоев которого состоит графит) собираются делать транзисторы... Или там рулят поверхностные эффекты и в графене таки запрещенная зона есть

 Профиль  
                  
 
 Re: Влияние дискретизации заряда на эл. поле внутри проводника
Сообщение26.08.2024, 10:36 


16/12/20
155
Cos(x-pi/2) в сообщении #1651563 писал(а):
Нет данных о наличии в графите запрещённой зоны, которая отделяла бы полностью занятую электронами зону от (почти) пустой зоны проводимости, как в полупроводниках.

А как электропроводность и теплопроводность графита зависят от температуры, как у металлов или как у полупроводников? И какая у графита анизотропия свойств?

 Профиль  
                  
 
 Re: Количество энергетических уровней в зоне проводимости
Сообщение27.08.2024, 09:49 


16/12/20
155
pppppppo_98 в сообщении #1651567 писал(а):
А как тогда на графене (из слоев которого состоит графит) собираются делать транзисторы... Или там рулят поверхностные эффекты и в графене таки запрещенная зона есть

В справочнике 1960 года утверждается, что графит это полупроводник с шириной запрещённой зоны 0,1 электрон-вольт.

 Профиль  
                  
 
 Re: Количество энергетических уровней в зоне проводимости
Сообщение27.08.2024, 12:48 


16/12/20
155
Энергия 0,1 электрон-вольт у фотонов электромагнитного излучения с длиной волны 12 мкм. Это инфракрасный диапазон - тепловое излучение. Тело человека имеет максимум теплового излучения на длине волны примерно 9,5 мкм. При температуре объекта 500К или + 227 С, максимум теплового излучения находится на длине волны 5,8 мкм. Видимый свет имеет диапазон 0,4 - 0,7 мкм.

 Профиль  
                  
 
 Re: Количество энергетических уровней в зоне проводимости
Сообщение27.08.2024, 18:51 
Заслуженный участник


29/09/14
1241
Serg53 в сообщении #1651876 писал(а):
В справочнике 1960 года утверждается, что графит это полупроводник с шириной запрещённой зоны 0,1 электрон-вольт.

Serg53
Предполагаю, поскольку Вы биолог, Вы хорошо знаете, что для того чтобы составить себе более-менее отчётливое представление о свойствах исследуемого объекта и о причинах, обусловливающих именно такие свойства, а не иные, приходится изучать объект всесторонне и долго; надо проводить разнообразные измерения, сравнивать результаты (и экспериментальные и теоретические) разных авторов, получаемые разными методами, и свои. Тогда только начинаешь "чувствовать" изучаемый материал, понимать степень надёжности данных и гипотетичности утверждений о нём.

В физике твердого тела, в материаловедении дело обстоит так же. Даже в случае долго и интенсивно изучавшихся материалов зачастую остаются хотя бы небольшие несоответствия данных из разных источников.

Ваш вопрос про графит меня заинтересовал, но по графиту я не специалист.

(Занимался полупроводниками А4B6, такими как PbTe, SnTe, GeTe. Их называют полупроводниками, потому что будь у них кристаллическая решётка идеальной, без дефектов, в них при $T\to 0$ зона проводимости, отделённая небольшой запрещённой зоной от валентной зоны, была бы без электронов, и валентная зона была бы без дырок. На практике же они ведут себя как "плохие металлы". Они обладают проводимостью p-типа (если они не легированы специальными примесями), не обращающейся в ноль при понижении температуры. Потому что у них кристаллическая решётка всегда имеет множество дефектов, и эти дефекты даже при низкой температуре дают в валентную зону много дырок, порядка $10^{19}\,\text{см}^{-3}.$

Это хорошо известный мне пример того, какой неопределённой может быть классификация материала по какому-то одному признаку. По расчётам зонной структуры это полупроводники с узкой запрещённой зоной, порядка десятых долей эВ. А по измерениям проводимости это проводники. Более того, при легировании PbTe таллием этот полупроводник становится металлом-сверхпроводником (p-типа) с температурой перехода в сверхпроводящее состояние порядка $1\,K.$ В родственных ему материалах, в которых Pb частично заменяется на Sn, а легирующей примесью служит In, при изменении состава наблюдается вообще замечательный ряд превращений. При постепенном переходе от PbTe к SnTe запрещенная зона уменьшается до нуля, а затем ветви спектра зоны проводимости и валентной зоны как бы меняются местами и запрещённая зона снова становится не равной нулю. При этом PbTе с примесью In ведёт себя как несверхпроводящий металл с носителями тока n-типа, но при замещении свинца оловом примесный уровень In движется вниз по шкале энергии, попадает в запрещённую зону и в некотором диапазоне составов возникает диэлектрическое состояние. В SnTe уровень In уже оказывается в валентной зоне, и получается металл-сверхпроводник p-типа, аналогичный PbTe с примесью Tl.)

Это я рассказал для иллюстрации того, что лишь "с высоты птичьего полёта" всё выглядит просто - по зонной структуре идеального кристалла мы относим его к одной из двух категорий: диэлектрик (или полупроводник) и металл (или полуметалл). Реальные же кристаллы могут иметь различные модификации, отклонения от стехиометрической формулы состава, включать примеси, и как раз такими нюансами определяются свойства материала, наблюдаемые в опытах.

Информацию о графите я просматривал в интернете примерно один день (что, конечно же, смехотворно мало); и понял, что это сложный материал. Углерод, в частности графит, допускает много различных модификаций, и поэтому данные о нём разных авторов могут различаться и могут быть в разной степени гипотетичными. Графит - слоистый; вдоль слоев проводимость металлического типа, поперёк - больше похожа на полупроводниковую.

Насколько я понял, до "эпохи графена" наиболее достоверной считалась зонная структура графита, рассчитанная по модели "Slonczewski-Weiss-McClure". Ссылки на статьи этих авторов ниже привожу, по doi можно их скачать в sci-hub; если это Вам интересно, посмотрите их сами, пересказывать их я не возьмусь. В этой модели зона проводимости немножко перекрывается с валентной, так что по этому признаку графит относится к полуметаллам.

В одной из самых ранних работ с расчетом зонной структуры графита (старые статьи мне старику представляются написанными более интересно и ясно, чем современные :) графит назван полупроводником с равной нулю запрещённой зоной; т.е. зона проводимости и валентная зона соприкасаются своими краями, так что в этой точке плотность состояний равна нулю:
P.R. Wallace, The Band Theory of Graphite. doi: 10.1103/PhysRev.71.622

Позже была получена похожая картина, но с небольшим перекрытием зон (т.е. плотность состояний мала в области перекрытия, но в ноль не обращается):

J.W. McClure, Band Structure of Graphite and de Haas-van-Alphen Effect. doi: 10.1103/PhysRev.108.612

J.C. SLonczewski, P.R. Weiss, Band Structure of Graphite. doi: 10.1103/PhysRev.109.272

Один из нагуглившихся более поздних расчетов (1984 г., в начале есть обзор и много ссылок):
R.C. Tatar, S. Rabii, Electronic properties of graphite: A unified theoretical study. doi: 10.1103/PhysRevB.25.4126

В 2004 г. началась "эпоха графена": была открыта возможность получения и исследования одиночного слоя графита. Популярной стала модель "дираковских фермионов"; в ней графен это двумерный полупроводник с нулевой запрещённой зоной. Не могу судить, это лишь модная теория, привлекающая эстетикой и аналогиями с моделями в физике элементарных частиц, или же она действительно хорошо описывает всю совокупность экспериментальных данных. Статья в УФН:
С.В. Морозов, К.С. Новоселов, А.К. Гейм, Электронный транспорт в графене.
https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/i/

 Профиль  
                  
 
 Re: Количество энергетических уровней в зоне проводимости
Сообщение28.08.2024, 07:21 


16/12/20
155
Cos(x-pi/2) в сообщении #1651982 писал(а):
Вы биолог

Нет, я не биолог, хотя биологией интересуюсь в течение всей жизни. У меня есть оптический микроскоп и предметные и покровные стёкла. В школе у меня и по химии и по биологии были отличные отметки. Моей специальностью была радиоэлектроника, автоматика и вычислительная техника. В ВУЗе отлично понимал математику, физику, химию, электротехнику и другие специальные науки, в том числе и материаловедение. В качестве хобби некоторое время уделял радиотехнике и астрономии, больше теоретически, чем практически. Интересно было прочитать книгу Шкловского "Вселенная жизнь разум". Однако считаю, что понятие "разум" слишком неопределённое, достаточно было бы использовать термин "мышление".
-
-
-
Cos(x-pi/2) в сообщении #1651982 писал(а):
это сложный материал. Углерод, в частности графит, допускает много различных модификаций, и поэтому данные о нём разных авторов могут различаться и могут быть в разной степени гипотетичными. Графит - слоистый; вдоль слоев проводимость металлического типа, поперёк - больше похожа на полупроводниковую.

Да, графит сложный материал, имеет много модификаций и различные свойства в разных плоскостях. Электропроводность у него с повышением температуры улучшается, как у полупроводников. У металлов наоборот, с повышением температуры электропроводность ухудшается. С помощью стального острия на графите можно найти точку, в которой появляется вентильный эффект однонаправленной проводимости. Но обратное напряжение, которое такой примитивный точечный диод может выдержать, невелико.

 Профиль  
                  
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 15 ] 

Модераторы: photon, whiterussian, profrotter, Jnrty, Aer, Парджеттер, Eule_A, Супермодераторы



Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group