По поводу EUV. В прессе в прошлые годы много статей было.
В статье
Макушин М., Мартынов В. Нужен ли россии самодельный euv-нанолитограф?! Техника и экономика современной литографии. // Фотоника №4, 2010 вывод: «Исходя из вышесказанного, в России нет необходимости освоения массового производства СБИС памяти на уровне технологии 22 нм и ниже, а следовательно, "нанолитографы" собственной разработки ей не нужны, тем более, что разработанные к настоящему времени прототипы "EUV-наносканеров" имеют поле кристалла 0,82×0,82 мм (!!!) и не имеют систем прецизионного автоматического совмещения». Вот такие экспертные мнения были.
(Несколько цитат из статьи и комментарии)
Несколько раз (в разные годы) перечитывал статью. Забавно сейчас читать о том, что FinFET и 3D — «бумажные тигры» (FinFET Intel c 2011 года использует, 3D сейчас AMD использует для увеличение L3 в процессорах:
AMD представила процессор Ryzen 7 5800X3D с технологией 3D V-Cache,
Milan-X: AMD представила процессоры EPYC с кэшем 3D V-cache).
«Для России существуют хорошие возможности закупки достаточно современного оборудования с топологиями до 65–45 нм по приемлемым ценам.» По слухам из новостных лент, США препятствуют продажам ASML EUV литографов Китаю.
«Те авторы, которые пишут о том, что освоение уровней технологии 20 нм и менее позволит существенно увеличить быстродействие микропроцессоров и создать самую передовую ЭКБ, вероятнее всего мало читают настоящую техническую литературу и слабо представляют тенденцию развития микроэлектроники. Суть заключается в том, что уменьшение размеров элементов в массовом производстве нужно, прежде всего, для получения наибольших экономических выгод, а не для повышения быстродействия формируемой приборной структуры.» Увы, без уменьшения характерных размеров, снижения энергопотребления или увеличения производительности не получить, хотя, конечно, не только уменьшение характерных размеров играет роль.
«Поэтому первыми кандидатами на массовое производство являются СБИС памяти – в них напрямую реализуется экономическая эффективность перехода на малые размеры элементов.» Внедрение EUV началось с SoC для смартфонов, а в этом году начнётся производство процессоров (TSMC для AMD — Zen4) и GPU по техпроцессам, использующим EUV. (DDR4 SDRAM Samsung с применением EUV в порядке эксперимента также делала, но особой необходимости тогда в этом не было.)
Вообще, в начале 2000 годов ведущие специалисты призывали начать разработку EUV-оборудования.
Если не принять сейчас решительных действий, мы можем остаться не в той цивилизации. На мой взгляд, это имеет то же значение, как быть или не быть членом ядерного клуба.
В то же время, если не разбрасываться и, по примеру США, объединить действительно работающих в данном направлении в некую виртуальную лабораторию (по моим оценкам, это около 100 человек) и финансировать в течение пяти лет их работу из расчета 50 тыс. долл. на человека в год (меньшее не позволит приобретать и заказывать необходимое для успешной работы оборудование), сейчас еще не поздно решить проблему развития наноэлектроники и атомноточных технологий.
На мой взгляд, руководители после развала СССР при выборе решений были вынуждены стремиться к улучшению жизни граждан, а для этого нужны были эффективные решения по вложению денег (не когда-то там, а через несколько лет плоды вложений должны были быть видны).
Хоть и очень жаль потерянного времени, но рано или поздно нужно принимать неэффективные решения. И не только идти по пути создания аналогов EUV-оборудования от ASML, но и разрабатывать альтернативные варианты. Как для устойчивости развития мировой электроники, так и чтобы прикладная наука находила применение ни где-то далеко, но поближе. Одним из альтернативных подходов по ссылке
Vladimir-80 российские разработчики и заняты. Хорошо, если это EUV-оборудование будет доведено до использования в массовом производстве.
