На исходный вопрос темы ответ, как я вижу, успешно получен.
Но уж поскольку по ходу дискуссии возник ещё один (насчёт предельно низких энергий электронов в пучках),
Такой длине волны соответствует энергия
А теперь придумайте способ создавать электроны с такой энергией, и что не менее важно, с таким же или лучшим разбросом по энергии.
а я, вроде как, что-то на сей счёт вякнул, то придётся хоть что-то по делу да сказать. Но прежде...
Прежде всего, вынужден (пока) извиниться за один порядок заявленной величины. Тема далеко не моя, работы, которые удалось надыбать, посвящены не
собственно получению электронов предельно низких энергий, а больше их
применению для нужд народного хозяйства, точнее — созданию
ярких источников холодных электронов. А плотность частиц и узость энергетического распределения для частиц, обладающих эл.зарядом, условия, понятное дело, взаимоисключающие. Рыться глубже по ссылкам времени, извините, не было. Но точно помню, что цифра в единицы микроэлектронвольт на какой-то из конференций звучала. Тем не менее, вот одна из работ:
http://journals.aps.org/prl/abstract/10 ... ett.81.778 DOI:
http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.81.778 и Abstract к ней:
Цитата:
Combining a tunable single mode laser–atomic beam photoelectron source with a skimmed supersonic beam target we have carried out ultrahigh resolution studies of threshold electron attachment to
molecules. Monitoring
formation around the onset for field ionization of high
Rydberg atoms, residual electric fields are diagnosed and reduced to levels around 0.01
, allowing the first study of free electron attachment cross sections
for energies down to about 20
at energy widths as low as 20
. The present results for
production conclusively demonstrate the convergence towards the limiting s-wave attachment behavior
~
at energies below 1
.
В принципе, тут же всё объяснено и про способ получения ультрахолодных электронов, но всё же несколько слов про проблемы на данном пути м методы их преодоления:
Основная проблема, разумеется, заключается не в том, чтобы получить частицы с
низкой средней энергией, а в том, чтобы получить ансамбль частиц с
минимально узким энергетическим распределением — далее с ними оперировать уже проще.
Электроны, получаемые "обычным путём", в процессе термической или фотоэмиссии, естественно, несут на себе "родимое пятно" начального энергетического распределения эмиттера. И даже охлаждение твёрдотельного эмиттера до гелиевых температур снимает проблему лишь частично. Поэтому с целью устранения максимального количества отрицательных факторов в качестве эмиттера используется облако атомов щелочных или редкоземельных элементов, охлаждённых до температур ~ 1
(можно охладить и ещё на три порядка ниже, но не нужно), на которые воздействуют излучением узкополосного перестраиваемого лазера. Длину волны последнего подбирают так, чтобы либо непосредственно сообщить электрону энергию чуть выше границы ионизации, либо же на промежуточной стадии получить атом в высоколежащем ридберговском состоянии, а далее уже ионизовать его постоянным электрическим полем должной величины. Вот и всё, собственно.