MARIAVL писал(а):
..."при том направлении поля при котором приповерхностный слой проводника обогатился дырками..."у меня возник вопрос-как они это "увидели"?какой метод позволяет идентифицировать обогащение поверхностного слоя проводника электронными вакансиями?пардон за может быть глупый вопрос и спасибо за ответ
================================ Дырочная проводимость характерна для полупроводников и может быть косвенно определена по величине составляющей злектрической проводимости за счёт свободных носителей заряда (по поглощению электромагнитного излучения поверхостью полупроводника, фотопроводимости слоёв и другими методами).
Наиболее доступными бесконтактными методами измерения поверхностной электропроводимости полупроводников в этом случае являются методы лазерного зондирования (при вариации длины волны излучения) и эллипсометрия (в диапазоне длин волн 0,2 – 2,0 мкм). Например, литературные ссылки:
[1] Lile D. L., Davis N. M. Semiconductor profiling using an optical probe. – Sol. – St. Electron., 1975, vol. 18, N 7, 8, p. 699 – 704.
[2] Иоффе Б. В. Рефрактометрические методы химии. 3-е изд. – Л.: Химия, 1983. [3. Эллипсометрические методы (с. 233 - 240)].
Так излучение азотного лазера (с длиной волны 0,34 мкм) поглощается в кремнии на глубине порядка 0,01 мкм, рубинового лазера (0,63 мкм) – на глубине порядка 1 мкм, ниодимового лазера (1,06 мкм) – на глубине порядка 100 мкм и более.
Эллипсометрические методы (на отражение света) позволяют производить измерения в области фундаметального поглощения полупроводиков (включающей видимый диапазон оптического спектра), что не доступно другим оптическим методам (на прохождение света) из-за сильного поглощения в полупроводниках.
Общий же характер диэлектрических и оптических спектров полупроводников, наиболее распространённых в электронной и оптической промышленности (кремния, арсенида галлия, германия и других), можно найти через Интернет в электронной Базе Данных программы “SPECTRA” (графические и численные данные).
