У меня вопрос по ионной имплантации, а конкретно по построению имплантационных профилей (по оси
- концентрация внедренных ионов, по оси
- глубина внедренных ионов). Симметричный профиль будет иметь тип распределения Гаусса, мне же нужно для построения использовать распределение Пирсона 4 типа. Для этого нужно рассчитать четыре момента: нормальный пробег
, среднеквадратичное отклонение (страгглинг) нормального пробега
, коэффициент асимметрии
и коэффициент затухания (эксцесс)
. Из них рассчитываются четыре константы
, которые используются для расчета распределения Пирсона-4 (распределения концентрации):
Формулы для расчета этих моментов имеют вид:
По идее,
и
зависят от дозы имплантированных ионов (мкКл/см^2), энергии этих ионов (кЭв), заряда и атомной массы имплантируемого иона и мишени, но я не смог найти зависимость между этими величинами, помогите, пожалуйста, разобраться, как найти численные значения. Также не могу понять, что за функция
, нужная для расчета 4-х моментов, или она не нужна и моменты определяются как-нибудь по другому.