1. Для произвольной ограниченной односвязной области

и произвольного потенциального поля

с потенциалом

в ней (в предположении разумной гладкости границы области

и

на

) создающее это поле распределение зарядов в соответствии с формулой Грина устроено так: (1) внутри области объёмный заряд

, (2) на границе области поверхностный заряд (т.н. простой слой) с двумерной плотностью

, где

--- единичный вектор внешней нормали к границе области, плюс (3) на границе области поверхностный слой диполей (т.н. двойной слой) с мощностью (дипольным моментом в направлении внешней нормали на единицу площади)

. Такое распределение заряда создает в точности потенциал

внутри

и тождественно равный нулю потенциал вне

. Это универсальный способ создания требуемого в

поля некоторым распределением зарядов, которое не выходит за пределы

. При этом если граница области

состоит только из эквипотенциальных поверхностей потенциала

, то двойной слой не дает вклада в

, т.к. создаваемый им потенциал оказывается константой (это происходит и для неограниченных эквипотенциальных поверхностей, когда

неограничена); наличие двойного слоя неприятно тем, что с ним связана бесконечная электростатическая энергия.
2. Иногда даже в том случае, когда граница области не состоит из эквипотенциальных поверхностей, поле, создаваемое двойным слоем в

(но не во всём

), можно создать некоторым поверхностным зарядом (простым слоем) на

, так что опять можно обойтись только зарядом внутри

и поверхностным зарядом на

(хорошо известный пример --- однородное поле в шаре).
3. Если же речь идет о том, чтобы создать в

нужное поле, имея возможность распределять заряды где угодно в

и не обращать внимания на то, что поле

не будет тождественным нулём вне

, то решений может быть бесконечно много (например, когда поле

, заданное в

, можно продолжить в какую-нибудь область

, достаточно применить описанную процедуру к

).
4. Пример: пусть

. Это поле с потенциалом

задано во всем

. Найдем такое распределение зарядов, которое создает указанное поле в единичном шаре

. Прежде всего, можно считать, что

, потому что сферически симметричный потенциал

возникает внутри однородно заряженного шара с объёмной плотностью заряда

, так что потенциал

будет иметь вид

c

, т.е.

--- однородный гармонический полином степени

. Любой такой полином может быть представлен внутри шара как потенциал простого слоя на единичной сфере с плотностью

, где

--- плотность простого слоя, фигурирующая в формуле Грина, т.е.

(проверяется с помощью теоремы сложения для сферических гармоник). Поэтому при любых

поле

в единичном шаре можно получить, заполняя этот шар однородным зарядом с плотностью

и размещая на его границе поверхностный заряд с плотностью

, где

,

,

,

.