1. Для произвольной ограниченной односвязной области
и произвольного потенциального поля
с потенциалом
в ней (в предположении разумной гладкости границы области
и
на
) создающее это поле распределение зарядов в соответствии с формулой Грина устроено так: (1) внутри области объёмный заряд
, (2) на границе области поверхностный заряд (т.н. простой слой) с двумерной плотностью
, где
--- единичный вектор внешней нормали к границе области, плюс (3) на границе области поверхностный слой диполей (т.н. двойной слой) с мощностью (дипольным моментом в направлении внешней нормали на единицу площади)
. Такое распределение заряда создает в точности потенциал
внутри
и тождественно равный нулю потенциал вне
. Это универсальный способ создания требуемого в
поля некоторым распределением зарядов, которое не выходит за пределы
. При этом если граница области
состоит только из эквипотенциальных поверхностей потенциала
, то двойной слой не дает вклада в
, т.к. создаваемый им потенциал оказывается константой (это происходит и для неограниченных эквипотенциальных поверхностей, когда
неограничена); наличие двойного слоя неприятно тем, что с ним связана бесконечная электростатическая энергия.
2. Иногда даже в том случае, когда граница области не состоит из эквипотенциальных поверхностей, поле, создаваемое двойным слоем в
(но не во всём
), можно создать некоторым поверхностным зарядом (простым слоем) на
, так что опять можно обойтись только зарядом внутри
и поверхностным зарядом на
(хорошо известный пример --- однородное поле в шаре).
3. Если же речь идет о том, чтобы создать в
нужное поле, имея возможность распределять заряды где угодно в
и не обращать внимания на то, что поле
не будет тождественным нулём вне
, то решений может быть бесконечно много (например, когда поле
, заданное в
, можно продолжить в какую-нибудь область
, достаточно применить описанную процедуру к
).
4. Пример: пусть
. Это поле с потенциалом
задано во всем
. Найдем такое распределение зарядов, которое создает указанное поле в единичном шаре
. Прежде всего, можно считать, что
, потому что сферически симметричный потенциал
возникает внутри однородно заряженного шара с объёмной плотностью заряда
, так что потенциал
будет иметь вид
c
, т.е.
--- однородный гармонический полином степени
. Любой такой полином может быть представлен внутри шара как потенциал простого слоя на единичной сфере с плотностью
, где
--- плотность простого слоя, фигурирующая в формуле Грина, т.е.
(проверяется с помощью теоремы сложения для сферических гармоник). Поэтому при любых
поле
в единичном шаре можно получить, заполняя этот шар однородным зарядом с плотностью
и размещая на его границе поверхностный заряд с плотностью
, где
,
,
,
.