Всем написавшим спасибо. Правда, вопросов стало ещё больше. То, что описывал EUgeneUS - как раз это я и говорил в первом сообщении. В первом случае на базу подаётся и несущий, и модулирующий сигналы. Во втором случае несущая подаётся на эмиттер.
Хочу перейти от теории к практике. Засел за Мультисимом. Что-то даже получилось.
1 случай:

2 случай:

Теперь, собственно, вопросы (ориентируюсь на первый случай):
1) Рабочую точку транзистора выбирать так, чтобы была отсечка, да? То есть подбирать R1 так, чтобы без входных сигналов Uб было в точке перегиба ВАХ Iк (Uбэ)? Сразу скажу, пока делаю с одним R, а не делителем.
2) Rэ нужно только для температурной стабилизации? Какое значение подбирать?
3) Нужно ли в схеме соединять R3?
4) Как подбирать значения кондёров? Что не перепробовал, на выходе всегда присутствует постоянная составляющая.
5) Какие должны быть токи, поступающие на базу в первом случае? Какие R подбирать для симуляции?
6) Нужно ли что-то ещё учитывать?
Частоты сигналов менять мне нельзя, требуются именно такие. Как и формы сигналов. Амплитуду прямоугольного можно изменять, но не более чем до 2,5 В. Амплитуда несущей - не более 5 В. Лучше будет, если её нужно будет делать ниже.