Управляемый элемент

[Freude]

Osmiy в сообщении #1020729 писал(а):

Почему? В биполярном же транзисторе током базы меняется высота потенциального барьера, которым является (не помню уже) толи сама база, толи эмиттерный переход.

Там тоже сложение трех токов в узле, но проводимость материалов разная, что приводит к нелинейному сопротивлению барьеров. Если вы хотите сделать лампу в полупроводниках, металлах - почитайте о баллистическом переносе электронов, может пригодится.

[dvb]

Osmiy в сообщении #1020729 писал(а):

В биполярном же транзисторе током базы меняется высота потенциального барьера, которым является (не помню уже) толи сама база, толи эмиттерный переход.

Попробуйте соорудить цепь включения этого "транзистора", то есть расставьте источники напряжения, и замкните, как надо. Потом посмотрите, куда захотят течь "туннельные" токи. На мой взгляд, соорудить что-то, обладающее усилительными свойствами при наличии подвижных носителей заряда только одного знака в принципе невозможно.

[vlapay]

dvb в сообщении #1021423 писал(а):

На мой взгляд, соорудить что-то, обладающее усилительными свойствами при наличии подвижных носителей заряда только одного знака в принципе невозможно.

Значит, Вы в глаза не видели ламповых приборов.

[dvb]

vlapay в сообщении #1021432 писал(а):

Значит, Вы в глаза не видели ламповых приборов.

Вы уже изобрели твердотельную лампу? Поделитесь идеей, не жадничайте.

[vlapay]

Посмотрите баллистический транзистор.

[Osmiy]

dvb в сообщении #1021437 писал(а):

Вы уже изобрели твердотельную лампу?

Униполярный (полевой) транзистор.

[dvb]

Osmiy в сообщении #1021490 писал(а):

Униполярный (полевой) транзистор.

Но там как раз носители обоих знаков, и это принципиально.

dvb в сообщении #1021423 писал(а):

На мой взгляд, соорудить что-то, обладающее усилительными свойствами при наличии подвижных носителей заряда только одного знака в принципе невозможно.

Кажется, я погорячился. Пожалуй, твердотельный аналог лампы возможен, если в металл между анодом и катодом встроить изолированную "сетку". Управляя небольшим потенциалом сетки можно частично или полностью компенсировать поле между анодом и катодом в зазоре между сеткой и катодом. Есть какие-то надежды на то, что эта штука будет обладать усилительными свойствами. Разница будет та, что при наличии разности потенциалов электроны в вакууме двигаются с ускорением, а в металле - с постоянной скоростью.
В сущности, это примерно то, что и предлагается в теме, только там вместо сетки тонкий сплошной слой изолятора, а электронам предлагается туннелировать. Но лавинными эффектами типа обратимый пробой (как в стабилитроне) трудно управлять, и максимум, что удастся выжать - ключевой элемент. Почти наверняка все это уже обнюхано со всех сторон, и есть причины, почему так не делают.

[Евгений Машеров]

Что-то мне вот это вспомнилось:
https://ru.wikipedia.org/wiki/%CE%E4%ED ... 1%F2%EE%F0