|
trixit |
|
|
|
Добрый вечер.
На защите лабораторной работы задали вопрос. Полистал учебники, облазал интернет, ничего толкового не нашел.
Сам вопрос:
Дан собственный полупроводник.
G - скорость генерации носителей
R - скорость рекомбинации носителей
Ф - световой поток, который попадает на полупроводник.
Изобразить схему внутреннего фотоэффекта для полупроводника и сосчитать зависимость сопротивления от времени для прямоугольного импульса светового потока t.
Прошу подкинуть правильную мысль, или хотя бы правильные формулы. Тема труднопонимаемая и информации по ней не густо.
Чисто логическими размышлениями пришел к тому, что сопротивление будет увеличиваться со временем, до определенного значения. Но обосновать это формулами не могу.
|
|
|
|
 |
|
mihiv |
|
|
|
Чтобы ответить на этот вопрос нужно знать, как сопротивление полупроводника зависит от концентрации носителей, а затем составить диф. уравнение, описывающее изменение концентрации носителей со временем.
Составляя уравнение, надо учесть, что генерация носителей происходит во-первых за счет теплового движения (скорость этого процесса постоянна при данной температуре) и во-вторых за счет светового потока (скорость этого процесса пропорциональна световому потоку). Кроме того происходит рекомбинация носителей, скорость рекомбинации зависит от концентрации носителей.
|
|
|
|
|
