задача о двух четырёхполюсниках

[sergey barancev]

Желаю всем доброго здравия, возник тут у меня такой вопрос, имеются вольт-амперные характеристики снятые с двух четырёхполюсников

http://s020.radikal.ru/i707/1405/08/46dbef7ae80c.gif

http://s020.radikal.ru/i716/1405/e4/9eed29a0cb22.png

Можно ли как-то определить, что находиться в четырёхполюсниках? Заранее всем спасибо.

[Prividenie s motorom]

sergey barancev в сообщении #864710 писал(а):

имеются вольт-амперные характеристики снятые с двух четырёхполюсников
http://s020.radikal.ru/i707/1405/08/46dbef7ae80c.gif
http://s020.radikal.ru/i716/1405/e4/9eed29a0cb22.png

Можно ли как-то определить, что находиться в четырёхполюсниках? Заранее всем спасибо.

Если изображение повернуть, так, чтобы по оси X было U, то можно проанализировать характеристики.
Первая похожа на выходную биполярного транзистора. Только очень низкое напряжение, при котором возникает ПОС - эффект динистора.

Вторая похожа на выходную полевого транзистора, но она ещё похожа на ВАХ терморезистора. На второй следовало бы отметить единицы измерения, чтобы ВАХ характеризовала масштабы процесса. Если же 1,2 Вольта и 0,13 Ампера, то низкое напряжение приближает ВАХ к терморезистору.
Вся проблема чёрных ящиков - четырёхполюсников в том, что элементы схем могут быть зашунтированы (параллельное соединение) омическими и нелинейными (термо) резисторами. Желательно иметь принципиальную схему чёрного ящика, для того, чтобы, по измерениям ВАХ, судить об исправности некоторых элементов схемы.

[sergey barancev]

Prividenie s motorom в сообщении #864882 писал(а):

Если же 1,2 Вольта и 0,13 Ампера,

Да, это именно вольты и амперы.

Что касается выходных ВАХ биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером, то там коллекторный ток зависит от напряжения.

По большому счёту эта тема имеет отношение к вопросу о неразрушающем анализе.

[Prividenie s motorom]

sergey barancev в сообщении #864950 писал(а):

По большому счёту эта тема имеет отношение к вопросу о неразрушающем анализе.

В современной науке - в теории цепей электронных приборов - теории нелинейных цепей существуют недоработки. Основные причины недоработок (ошибок):
1. Неправильные физические описания процессов. Наука электроника представляет процессы, происходящие в электронных приборах как "электронные" и ничего не сообщает о термодинамике процессов. В то же время: термодинамические и электродинамические процессы - это равноправные процессы, влияющие на электрон. Кроме электрического поля, существует и тепловое поле. И в электронных приборах эти поля по силе - соизмеримы. Именно это свойство позволяет создавать "электронное управление".
2. Считается, что правила Киргофа должны работать везде. Но это не так. В самом объекте управления (например, в базе биполярного транзистора) управляющий ток является и электрическим и тепловым током. Существует термин "инжекционный ток". Само физическое толкование термина неверно. Это просто электронный и тепловой ток одновременно. Попросту сказать: электроны переносят тепло. И от величины этого тепла будет зависеть выходной ток. Правил Киргофа в таком случае недостаточно. И в своём обычном виде они работать не должны. Между тем, теория нелинейных цепей эти правила везде насаждает. В управляющей системе, даже в двухполюсниках - диодах имеются одна (по электрическому процессу), а иногда и вторая (по тепловому процессу) ООС. Об этом молчит физика. Теория нелинейных цепей слабо адаптирована к ООС и навязывает упрощённую математику в виде ИТУН, ИНУН и др.
В трёхполюсниках, например в биполярных транзисторах, на фоне ООС, возникают ПОС. Это проявляется в постепенном вытеснении ООС и переходе в ПОС. Опять, же в физике не понимают что происходит на самом деле, и изобретают эффекты: эффект Кирка, эффект Эрли.
Параметры, получаемые при исследовании четырёхполюсника дают очень упрощённую картину, и их приходится использовать из-за пробелов в физике.
Об анализе и синтезе.
Я пытаюсь исследовать биполярные транзисторы, разобраться как работает физика, и получить математическое описание в виде "эмиссионного" уравнения и влияющих ООС и ПОС. (Об эмиссионном уравнении здесь: http://electron.totalh.net/ http://electron.totalh.net/main/thermo/empiric/ http://dxdy.ru/topic83280.html)
Для этого я применяю анализ - ставлю опыты, снимаю ВАХ (есть несколько схем и к ним привязаны несколько ВАХ, представленных как функции) в зависимости от температуры.
Затем, с помощью аналитических функции ( в основном - эмиссионного уравнения) создаю мат. модели. Это синтез.
Если у Вас стоит вопрос об анализе (неразрушающем), то...
этот анализ-контроль бывает разный.
1. Встроенный контроль - в микросхему встраиваются некоторые датчики. Здесь может помочь теория ремонта и диагностики.
2. Если анализируется вообще неизвестная схема, то здесь есть опасность эту схему "убить" при измерении. Так, например, туннельные диоды не выживают, если ток через него был более нескольких миллиампер. К тому же они сгорают при приложении обратного напряжения с таким же маленьким током.
При анализе неизвестной схемы вообще сложно делать выводы.
Так, например, я могу исследовать маломощные биполярные транзисторы. Когда я исследую мощные, я понимаю, что внутри него может быть несколько маломощных транзисторов, соединённых параллельно. Это иногда полностью убивает все попытки получить мат. модель. Исправить ситуацию может тот случай, когда мы имеем информацию о геометрических размерах и химическом составе полупроводникового прибора. Тогда исследование становиться более информативным.

[ewert]

sergey barancev в сообщении #864950 писал(а):

Что касается выходных ВАХ биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером, то там коллекторный ток зависит от напряжения.

Там же сверху нагрузочный резистор, так что какая разница -- ток или напряжение.

[photon]

Prividenie s motorom - клон Kwak Plintus, бан

[sergey barancev]

ewert в сообщении #865091 писал(а):

Там же сверху нагрузочный резистор, так что какая разница -- ток или напряжение.

Та собственно разницы никакой, только вот как определить, что находиться в четырёхполюсниках, если учесть, что ВАХ очень похожи друг на друга как близнецы?

[Ruben]

Первая картинка смахивает на характеристику обращенного диода (на картинке справа), только токи там на порядок меньше.

[sergey barancev]

Ruben в сообщении #865356 писал(а):

Первая картинка смахивает на характеристику обращенного диода

А на мой взгляд ничего общего.

Общего между первой и второй ВАХ то, что и там и там присутствует насыщение.

[Ruben]

sergey barancev в сообщении #865379 писал(а):

А на мой взгляд ничего общего.

А вы взгляд свой поменяйте и представьте график зеркально отраженным относительно биссектрисы первого координатного угла.
Вы же ВАХ сняли не "как у людей", где по оси абсцисс прикладываемое напряжение, выступающее в роли аргумента, а по оси ординат - сила тока как функция аргумента, а ровно наоборот. Можно подумать, в вашем распоряжении был регулируемый источник постоянного тока, а вольтметром вы снимали напряжение.

[sergey barancev]

Ruben в сообщении #865412 писал(а):

Вы же ВАХ сняли не "как у людей", где по оси абсцисс прикладываемое напряжение, выступающее в роли аргумента, а по оси ординат - сила тока как функция аргумента, а ровно наоборот.

А вот это здесь ровно не причём. Во первых ВАХ снимал не я, а во вторых ВАХ снята как положено.

[rustot]

это зависимость напряжения на разомкнутом выходе от тока на входе? ну допустим делитель из диода и резистора даст что-то примерно похожее. а потом увеличивать количество элементов подгоняя под заданный результат, допустим подключая параллельно диоду резистор увеличиваем прямую наклонную полку. нельзя решить задачу "определить что в черном ящике", можно решить задачу "как повторить ту же характеристику минимальным количеством элементов". на деле в ящике может оказаться совсем другая схема с той же характеристикой

[Ruben]

sergey barancev в сообщении #865689 писал(а):

А вот это здесь ровно не причём.

Было бы не при чем, если бы вы узнали в ВАХ обращенного диода свою. Но не узнали (по описанной мною причине, что ваша построена в перевернутых координатах).

Цитата:

ВАХ снята как положено.

Снята может быть и как положено, но гораздо более широкое распространение получило такое построение, в котором по оси ординат откладывается ток.

Я бы на это не обращал внимания, т.к. принципиальной разницы нет, но люди путаются:

Prividenie s motorom в сообщении #864882 писал(а):

Первая похожа на выходную биполярного транзистора.

sergey barancev в сообщении #864710 писал(а):

Что касается выходных ВАХ биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером, то там коллекторный ток зависит от напряжения.

Да ни черта она не похожа на выходную ВАХ транзистора и дело совершенно не в том, что ВАХ коллектора транзистора - это семейство характеристик, а не одна. Сравните сами (внимание обратите на оси, в которых построены эти ВАХ):



Левая построена в "правильных" осях: напряжение - аргумент , ток - функция напряжения, ведь именно такова роль этих переменных во время эксперимента по снятию ВАХ. Правая построена соответственно в "неправильных" осях.
То есть, похожа, но не на вашу вах, а на её зеркальное отражение относительно биссектрисы первого координатного угла.

[sergey barancev]

rustot в сообщении #865983 писал(а):

это зависимость напряжения на разомкнутом выходе от тока на входе?

Да совершенно верно.

Ruben в сообщении #866007 писал(а):

Левая построена в "правильных" осях: напряжение - аргумент , ток - функция напряжения, ведь именно такова роль этих переменных во время эксперимента по снятию ВАХ. Правая построена соответственно в "неправильных" осях.

Что значит "правильные" или "неправильные"? Какие есть, такие есть...

[sergey barancev]

Ruben в сообщении #866007 писал(а):

напряжение - аргумент , ток - функция напряжения...

Сила тока - аргумент, напряжение - функция тока, ведь именно такова роль этих переменных во время эксперимента по снятию ВАХ.