Я вот наткнулся на такое свойство у феррита (конкретно марганец-цинк), что у него чрезвычайно высокая диэлектрическая проницаемость в литературе видел цифру до 2*10^5 на низких частотах. Решил почитать, информации очень мало все, наиболее подробной показалась Сетидзе Ю., Хато Х. - Ферриты (1964). Провел эксперимент , несколько небрежно, но вроде бы на практике подтвердил. Вообщем суть вопроса, правильно ли я понимаю, что когда я между обкладками конденсатора размещаю кристалл, феррит к примеру, то через него течет ток, так как он проводник, одновременно с этим решетка поляризуется, и у меня с торцов накапливается заряд, как при заряде конденсатора, заряд Q=CU=eps*eps0*S/d * U? Эквивалентной схемой такого устройства будет параллельно включенные конденсатор и резистор? Как тогда определять скорость заряда такого конденсатора? Спасибо.
|