Ну я имел в виду, что ток насыщения во внутреннем фотоэфекте, есть значение тока, при котором все электроны, вырванные из свободного состояния, достигают зоны проводимости. Верно я понял?
Зона проводимости это энергетическое понятие , Если электрон приобрел достаточную энергию (от удачного столкновения атомов или от поглощения фотона) и оторвался от атома, то он переходит в зону проводимости. Потом он можнет где-нибудь терять энергию и вернуться в атом.
Вольт амперная хараектеристика фоторезистора должна бы быть похожей на на вах вакуумного фотоэлемента , в котором ток насыщения наступает, когда все выбитые электроны достигают катода.
Но почему то в учебниках физики пишут, вах фоторезистора линейна. При этом иногда поясняют, что выбираются материалы с большим временем рекомбинации и конструкции с небольшой длиной фоторезиста.
Но в принципе , из-за рекомбинации должна бы наблюдаться вах с током насыщения . Чем больше напряжение , тем быстрее носители движутся и тем меньше у них шансов рекомбинировать внутри фоторезистора. С какого то напряжения , все носители задействованы и при росте напряжения ток перестанет расти.
Или я что-то напутал?
