А чем термоэлектрический эффект отличается от указанной
Freude в
post788184.html#p788184 температурной зависимости?
Я невнимательно прочитал вопрос и думал, что речь идет о полупроводниках. Там концентрации носителей сильно зависят от температуры из-за возможной генерации электронно-дырочных пар в собственном полупроводнике или термоактивации примесей в полупроводниках n- или p-типа.
В металлах зависимость положения уровня Ферми от температуры очень слабая и нагрев не приводит к существенному изменению числа частиц.
Термоэлектрические эффекты (Зеебека, Пельтье, Томпсона) связаны с контактными явлениями и с изменением подвижности носителей заряда при нагреве как в металлах, так и в полупроводниках.
Если нагревать один конец металлического бруска, то электроны и/или дырки устремятся к холодному концу. При одинаковой мобильности электронов и дырок эффект Зеебека будет нулевым. Но плотность электронно-дырочного газа на холодном конце должна теоретически возрасти по сравнению с первоначальной. До какой степени она спосбна возрастать? И будет ли это приводить к рекомбинации?