Возбуждение электронной подсистемы

[Sergey K]

Итак, кристаллическая решетка. Предположим, что десяток атомов её (соседних) "нагрели" до 10 - 40 Эв выше энергии решетки. Так как температура велика, а время релаксации неравновесных колебаний атомов - по разным оценкам от $10^{-12}$ до $10^{-7}$, основное охлаждение перегретого участка, как мне кажется, будет происходить за счет возбуждения электронной подсистемы, которое происходит быстрее.

Как я понял, наиболее вероятный канал сброса энергии - это образование плазмона.

1. В пределах какого порядка времени происходит их образование?
2. В формуле энергии плазмона есть n - концентрация носителей заряда. Имеются ввиду валентные электроны? В смысле штук на объем, или как?
3. Есть ли более быстрые пути охлаждения, чем плазмоны и столкновения атомов?

[Munin]

В каждом твёрдом теле - по-разному. Есть фононы (в т. ч. оптические - про них не забывайте), есть электроны, есть всякие другие квазичастицы. Между ними - коэффициенты взаимодействия. Вот они-то (и конкретный набор квазичастицы) в каждом кристалле свои.

Возбуждённые атомы можно представить себе как кучу фононов в одном месте. И дальше смотреть, как какие частицы будут друг в друга энергию перекачивать.