2014 dxdy logo

Научный форум dxdy

Математика, Физика, Computer Science, Machine Learning, LaTeX, Механика и Техника, Химия,
Биология и Медицина, Экономика и Финансовая Математика, Гуманитарные науки




 
 Сравнение концентрации свободных электронов
Сообщение13.03.2007, 08:53 
Доброе время суток. Пожалуйста, помогите сравнить концентрацию свободных электронов в элементах Ge(Германий) и Si(Кремний). Т.е. больше, меньше или равны. Желательно небольшое объяснение. Всем заранее большое спасибо.

 
 
 
 
Сообщение13.03.2007, 12:59 
Аватара пользователя
Концентрация свободных электронов в собственных полупроводниках при 300K:

$n_{Ge}^i(300K)=2\cdot10^{21} m^{-3}$
$n_{Si}^i(300K)=1\cdot10^{18} m^{-3}$

В первую очередь, это объясняется различием в ширине запрещенной зоны. Для кремния она в два раза больше:

$Eg_{Ge}(300K)=0.661 \text{ eV}$
$Eg_{Si}(300K)=1.12 \text{ eV}$

Кроме того, играет роль различие в эффективных плотностях состояний

Собственно, концетрация определяется как:

$n^i(T)=(N_c(T) \cdot N_v(T) )^{\frac 1 2}\cdot e^{-\frac{Eg(T)}{2k_BT}}$

 
 
 [ Сообщений: 2 ] 


Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group