Потери на МДП.

[vshnukrshna]

Подскажите пожалуйста методику расчета статических и динамических потерь на мдп-транзисторах. Нигде найти не могу..

[powerZ]

Статические потери считаются просто: нужно найти действующий ток, и знать значение Rds(on) (обратите внимание, что Rds(on) имеет зависимость от температуры кристалла)
Динамические потери считать сложнее, многое зависит от схемы применения MOSFET-a. Но общий принцип такой: нужно проинтегрировать мгновенное значение мощности, то есть знать, как меняется ток и напряжение на MOSFET-e во время переключения.
В простых случаях (например, если переключение жесткое), бывает достаточно знать значение запасенной энергии в выходной емкости Coss (обратите внимание, что эта емкость сильно зависит от напряжения).
Ну и также для маломощных приложений необходимо учитывать потери на заряд емкости затвора (Ciss), там они могут быть существенными, по сравнению с общими потерями. Правда эти потери будут выделяться в драйвере, а не в самом MOSFET-e.

[vshnukrshna]

Спасибо.
Однако,хотелось бы готовых формул
Нашел у Э.С. Оскнера в книге "Мощные полевые транзисторы и их применение":



Но не понятно что такое \tau в 5.2?
К тому же в динамических потерях надо учитывать емкости сток-исток и затвор-исток а в 5.2 их нет..
Может есть источник где это все описано? а то уже кучу книг перерыл-нигде не могу найти..