Помогите с ФТТ

[dmix]

1. Пусть имеется прямозонный полупроводник с шириной запрещённой зоны delta(E_g)=h*omega_c. У потолка валентной зоны ( k=0 ) зависимость E(k) параболична, масса дырки m_h. То же и для электрона в зоне проводимости. Пусть матричный элемент вероятности перехода из валентной зоны в зону проводимости не зависит от k, и поэтому сила осциллятора постоянна и равна f. Рассчитать проводимости сигма__1(omega) вблизи точки omega_c. Что изменится, если полупроводник одномерный?

2. Пусть имеем простую многоатомную двумерную квадратную решетку. Постоянная решётки «a», масса атомов «m», упругая константа вдоль стороны квадрата k_1, вдоль диагонали квадрата k_2. Взаимодействиями с более дальними соседями пренебрегаем. какова частота колебаний для q=(pi/a; 0 )?

3. Пусти имееться одномерный кристалл с периодом решётки «а». Пусть кадый атом характеризуется потенциалом V(x)=a*V_0*дельта-функция(x). Найти ширину запрещённой зоны такого кристалла, пользуясь приближением свободных электронов.

[Парджеттер]

Тема перемещена в карантин из ПРР(Ф). Не оформлены формулы, нет попыток решения.