Сашуня писал(а):
Пишу курсовую по полупроводниковым халькогенидным стёклам. Способы получения, обработки, свойства. Информации мало, особенно на укр. языке. Хелп!!!
============================================
Ситуация с информацией по «полупроводниковым халькогенидным стёклам» (прежде всего, по их электрофизическим и оптическим «свойствам») не столь драмкатична, как это представляется на первый взгляд. Если это не обзорная тема, то желательно её конкретизировать примером определённого вида халькогенидного стекла (по составу и предыстории термообработки).
Как известно, «халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП)» являются типичными представителями «стеклообразных полупроводников» и представляют собой сплавы (халькогенов) – элементов шестой группы периодической системы (серы S, селена Se или теллура Te) с элементами пятой (мышьяк As, сурьма Sb) или четвёртой (кремний Si, германий Ge ) групп. К этим же материалам относят также элементарный халькоген – стеклообразный селен Se, ранее в своё время детально исследованный при фазовых переходах применительно к процессам электрофотографии [Процессы и аппараты электрофотографии. Тазенков Б. А. и др. – Л.: Машиностроение, 1972.—280 с.].
Кстати, полный диэлектрический (частотный) спектр селена (стеклообразного, аморфного и кристаллического) смоделироан качественно и количественно на экране PC и имеется в БД прикладной компьютерной программы “SPECTRA”. Это же можно проделать (в качестве паспортного характеристического диэлектричнского спектра) на вечные времена для любого полупроводникового халькогенидного стекла (при наличии желания, времени и некоторого минимума экспериментальных данных).
В последнее время халькогенидные стёкла рассматриваются в качестве перспективого прозрачного материала для оптоволоконных кабелей инфракрасного диапазона спектра, в связи с чем появляется достаточно много информации в Интернете[«В 1954 году Б.Т. Коломийцем и Н.А. Горюновой был открыт новый класс полупроводниковых веществ халькогенидные стеклообразные полупроводники, в состав которых входят халькогены VI группы периодической таблицы Менделеева. Типичные представители сульфид и селенид мышьяка.
Халькогенидные стекла изготавливают на основе элементов Ge, P, As, Sb, S, Se, Te. Типичные композиции: Ge S, Ge Se, As S, As Se, Ge S P, Ge As Se, Ge Se Te, As Se Te, Ge As Se Te и др. Халькогенидные стекла обладают высокой прозрачностью в ИК области спектра от 1 до 18 мкм»].
Соответственно, акценты в исследовании полупроводниковых халькогенидных стёкол могут быть сделаны на их электрофизических полупроводниковых свойствах, оптических абсорбционных селективных характеристиках или фотоэлектрических свойствах в определённых частотных диапазонах.
Добавлено спустя 4 минуты 40 секунд:Сашуня писал(а):
Пишу курсовую по полупроводниковым халькогенидным стёклам. Способы получения, обработки, свойства. Информации мало, особенно на укр. языке. Хелп!!!
===============================================
URSS.ru - Магазин научной книги: Электронные явления в халькогенидных ...
Описаны результаты обширных экспериментальных и теоретических исследований физических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). ...
-------------------------------------------------------------------
http://www.abn.ru/inf/informost/glasses.shtml
=========================================================
RU (11) 2013396 (13) C1
(51) 5 C03C3/32
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Статус: по данным на 17.10.2007 - прекратил действие
--------------------------------------------------------------------------------
(14) Дата публикации: 1994.05.30
(21) Регистрационный номер заявки: 5002782/33
(22) Дата подачи заявки: 1991.07.25
(45) Опубликовано: 1994.05.30
(71) Имя заявителя: Щепочкина Юлия Алексеевна
(72) Имя изобретателя: Щепочкина Юлия Алексеевна
(73) Имя патентообладателя: Щепочкина Юлия Алексеевна
(54) ХАЛЬГОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО
Использование: в электронике. Сущность изобретения: халькогенидное стекло содержит, мас. % : теллур 65 - 70, таллий 10 - 15, мышьяк 2 - 5, индий 12 - 15, бор 2 - 3. Стекло имеет запрещенную зону 0,15 - 0,2 эВ. 1 табл.
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых, преимущественно в электронике.
Известно халькогенидное стекло, содержащее следующие ингредиенты, мас. % : Te 40-80; As 20-60.
Известно халькогенидное стекло, содержащее следующие ингредиенты, мас. % : Te 44-64; Tl 30-50; As 1-12. Запрещенная зона такого стекла составляет 0,3-0,57 эВ.
Цель изобретения - уменьшение запрещенной зоны.
Это достигается тем, что в состав стекла дополнительно вводят In и В при следующем соотношении ингредиентов, мас. % : Te 65-70; Tl 10-15; As 2-5; In 12-15; В 2-3.
В таблице приведены конкретные составы халькогенидного стекла и величина запрещенной зоны.
Предложенное стекло получают в электропечи при температуре 1000оС. В остальном технология получения предложенного стекла та же, что и известного.
ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО, включающее Te, Tl, As, отличающееся тем, что, с целью уменьшения запрещенной зоны, оно дополнительно содержит In и B при следующем соотношении компонентов, мас. % :
Te 65 - 70
Tl 10 - 15
As 2 - 5
In 12 - 15
============================================================
1. Борисова З.У. Химия стеклообразных полупроводников. Из-во СПбГУ, 1972, 247 с.
2. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Из-во СПбГУ, 1983, 344 с. (Z.U. Borisova, "Glassy Semiconductors", N-Y, Pergamon Press, 1988)
