Дипольный момент полупроводникового диска

[Cimbolina]

Правильно ли так рассчитывать дипольный момент полупроводникового диска толщиной h, состоящего только из плавного pn- перехода. От 0 до h/2 (n-область) и от -h/2 до 0 (p-область). S - площадь диска; e - заряд электрона; a - параметр распределения примеси.

$$\vec{p} = \int\limits_{0}^{h/2}Seaz^2 dz = \frac{Seah^3}{24}$$

[Ignatovich]

Посмотрите в учебниках раздел "Барьерная емкость p-n-перехода". Дипольный момент можно найти, умножив барьерную емкость на контактную разность потенциалов и ширину ОПЗ барьера. Для резкого перехода есть простые формулы, для плавного перехода результат зависит от профиля легирования перехода.