1. Оцените обратный ток насыщения в p-n переходе при комнатной температуре, если запрещенная зона

концентрация доноров (или акцепторов)

время рекомбинации

секунд, и диффузионная длина

Правильно ли я понимаю, что saturation electric current --- это

где

--- диффузионный ток,

--- дрейфовый ток?
Я нагуглил

и
![$I_0=C \cdot \exp \left( \frac{-E_g}{xkT}\right), \,\, x\in [1,2],$ $I_0=C \cdot \exp \left( \frac{-E_g}{xkT}\right), \,\, x\in [1,2],$](https://dxdy-01.korotkov.co.uk/f/4/1/1/411cf17662b994c353a0affa384cde0282.png)
где

--- это размер запрещенной зоны. Но из этих формул не ясно как получить константы.
Где эту теорию можно посмотреть, чтобы решить задачу?
2. Рассмотрим резкий p-n переход. Покажите, что общая ширина

слоя истощения p-n перехода равна

где

и такое же выражение для

. Здесь

--- относительная (вакуумная) диэлектрическая проницаемость, а

и

--- концентрация акцептора и донора в единице объема, а

--- разность потенциалов на p-n переходе без приложенного напряжения.
Нужно также рассчитать общий заряд истощения и понять, как он меняется при приложении дополнительного напряжения

Тут нужно искать вид

Хорошо бы ещё понять происхождение этого слоя истощения в резком p-n переходе и как происходит выпрямление.