В книге Епифанов Г.И., Мома Ю.А. "Твердотельная электроника" М., 1986, скачать можно, например, здесь
http://www.ph4s.ru/book_ph_tvtelo.html неясно следующее.
1. На стр. 261 на рис. 12.4 дана зависимость параметра

от тока эмиттера, и на стр. 260 падение при малых, а также больших эмиттерных токах объясняется тем, что при малых токах значима рекомбинация электронов в базе(для определённости пусть будет n-p-n транзистор) , поскольку дырки туда могут прийти главным образом из базовой цепи.
Я не знаю физику тв. тела, к сожалению, поэтому такой наивный вопрос - как они там образуются - неужто в металлическом проводе? Если так, то как можно "на пальцах" объяснить, почему в металле дырок больше, чем в коллекторе, понятно, что коллектор - полупроводник n-типа, там дырок мало, но почему в металле они вообще есть, это термогенерация или что-то другое?
2. Про большие токи эмиттера авторы на стр. 261-262 пишут
Цитата:
К инжектированным неосновным носителям подтягиваются по цепи базы основные носители для компенсации инжектированного объёмного заряда. При больших токах эмиттера в базу инжектируется настолько много неосновных носителей(электронов), что концентрация основных носителей у эмиттера заметно повышается. Это приводит к росту инжекции основных носителей из базы в эмиттер, т.е. к уменьшению эффективности эмиттера.
Запутался в "основных" и "неосновных" - имеется ввиду, что электроны, попавшие в p-базу, заряжают её отрицательно и тем притягивают дырки, имеющиеся в базе, а также затащенные из провода базовой цепи в сторону эмиттера и они включаются в эмиттерный ток или что-то другое?
3. На стр. 263 второй абзац: "Поясним физическую природу усиления тока в схеме с общим эмиттером...". Авторы говорят, что по цепи бази в неё извне заедут дырки, понизят потенциальный барьер, что вызовет движение электронов из эмиттера, но т.к. база легирована слабео, то большая их часть доберётся-таки до коллектора, а оставшиеся - прорекомбинируют с прибывшими дырками. Всё понятно, но не является ли это объяснение, скажем так, дополнительным по отношению к рассуждению о том, что причина эмиттерного тока - всё-таки понижение потенциального барьера включением прямого смещения базо-эмиттерного перехода? Ненулевой базовый ток - следствие неидеальности транзистора, а не то чтобы прямо-таки причина коллекторного тока или я ошибаюсь? Просто "внешним источником напряжения смещения понизили потенциальный барьер, часть электронов инжектировалась в базу и дошла до коллектора" и "по цепи базы пришли дырки, понизили потенциальный барьер, вызвав этим ток эмиттера" - по-моему, это два разных процесса, а не разные объяснения одного и того же.
4.Режим насыщения. На стр. 262 написано, что в этом режиме коллекторный p-n-переход смещён прямо, но поле, втягивающее в коллектор электроны, инжектированные эмиттером, всё-таки ещё есть. Из этого можно сделать вывод о том, что потенциал коллектора выше потенциала базы(n-p-n). С другой стороны,

Если транзистор кремниевый, то

в насыщении не меньше 0,6-0,7В, а

может составлять всего около 0,2В(доводилось в этом убеждаться при работе с транзистором КТ503Г), что намекает на превышение потенциала базы над коллектором. Что утаили авторы книжки?
Далее они пишут: "теперь из коллектора через низкий барьер p-n-перехода идёт встречный ток носителей"(не сказано, каких именно). Если это электроны, ведь дырок в n-коллекторе мало, и предположить, что

, то этот ток диффузионный, неужели он существенен на фоне дрейфового тока электронов через коллекторный переход, пришедших от эмиттера?
Вообще, про режим насыщения не конца понял его преимущественную причину - всё-таки встречный диффузионный поток коллекторных электронов через пониженный барьер(или вообще без барьера, если

В,

В,

В) или то обстоятельство, что коллекторный переход хуже всасывает инжектированные электроны за счёт пониженного потенциала коллектора, или же что электроны, инжектированные в базу, не успевают все продиффундировать в коллекторный переход, а притягивают дырки из базовой цепи и рекомбинируют с ними, не доходя до коллектора?
5. При больших напряжениях коллектор-база(обратных) коллекорный переход расширяется, особенно в базовой части и может сомкнуться с эмиттерным(прокол базы, рис. 12.6). Непонятно, почему, помимо превращения барьера из трапециидального в треугольный, происходит ещё и его понижение?