2014 dxdy logo

Научный форум dxdy

Математика, Физика, Computer Science, Machine Learning, LaTeX, Механика и Техника, Химия,
Биология и Медицина, Экономика и Финансовая Математика, Гуманитарные науки




Начать новую тему Ответить на тему На страницу Пред.  1, 2
 
 Re: Снова про дырки и электроны в полупроводнике
Сообщение02.02.2019, 01:41 


29/01/09
435
alves в сообщении #1372458 писал(а):
Если рассматривать метод сильной связи в одномерном случае, то зоне, образованной p-орбиталями, будут соответствовать большие значения интеграла перекрытия, чем зоне, образованной s-орбиталями, и, соответственно, меньшая эффективная масса носителей. Неужели это никак не коррелирует с тем, что написано в стартовом сообщении?

Позвольте вмешаться...Но ведь из-за перестановочной симметрии - нет ни s- ни p- орбиталей - есть 4 совершенно одинаковые гибридизированные sp3 орбитали, если речь о кремнии идет

 Профиль  
                  
 
 Re: Снова про дырки и электроны в полупроводнике
Сообщение05.03.2019, 15:09 


08/04/10
53
pppppppo_98
Насколько я понял, в качестве базисных функций можно рассматривать либо s- и p- орбитали, либо сразу же гибридные орбитали. Разница только в том, в каком порядке проводится суммирование.

amon
Я прочитал про тяжелые дырки, и их эффективная масса определяется интегралом перекрытия (матричным элементом) p- орбиталей атома и его второго ближайшего соседа (пи-связь). Неудивительно, что он имеет малую величину и, следовательно, данным электронам соответствует большая эффективная масса.

 Профиль  
                  
 
 Re: Снова про дырки и электроны в полупроводнике
Сообщение05.03.2019, 18:18 
Заслуженный участник
Аватара пользователя


30/01/06
72407
amon
А вроде и правда, чем больше перекрытие, тем шире зона, в которую размывается уровень. Нет? А с GaAs надо разбираться отдельно.

 Профиль  
                  
 
 Re: Снова про дырки и электроны в полупроводнике
Сообщение09.03.2019, 01:25 
Заслуженный участник
Аватара пользователя


04/09/14
5011
ФТИ им. Иоффе СПб
alves в сообщении #1379923 писал(а):
Я прочитал про тяжелые дырки, и их эффективная масса определяется интегралом перекрытия (матричным элементом) p- орбиталей атома и его второго ближайшего соседа (пи-связь).
Munin в сообщении #1379950 писал(а):
А вроде и правда, чем больше перекрытие, тем шире зона
Тут такое дело. Я совсем не специалист в методе сильной связи, но то, что я слышал и читал выглядит так. Задача метода состоит в том, что бы описать не только окрестность минимума дисперсионной кривой (эта область, как правило, прекрасно описывается в приближении эффективной массы), а всю кривую до границы зоны Бриллюэна. Для этого есть два способа: взять минимальный набор функций, и учесть столько соседей, сколько надо для воспроизведения экспериментальной кривой дисперсии. Минимальным набором будут S и P орбитали в узлах, поскольку только S-орбиталями не обойтись - надо, что бы функции были инвариантны (преобразовывались по единичному представлению) точечной группы, но не ее расширения (по группе куба, а не сферы к примеру). В этом случае приходится кроме ближайших брать следующие узлы, откуда и появляются заклинания типа: "Эффективная масса определяется интегралом перекрытия (матричным элементом) p- орбиталей атома и его второго ближайшего соседа". Фраза эта, IMHO, не означает ничего, кроме как важности такого матричного элемента в этой схеме расчета. Есть другая схема, в которой учитываются только ближайшие соседи, но берется больше орбиталей (вплоть до F, насколько я помню), и тогда соответствующая фраза может звучать так:"Эффективная масса определяется перекрытием S, P и d орбиталей". Это я к тому, что не надо делать культа из метода сильной связи - это расчетный полуэмпирический метод, и никаких глубинных тайн материи он не раскрывает.

 Профиль  
                  
 
 Re: Снова про дырки и электроны в полупроводнике
Сообщение09.03.2019, 09:38 
Заслуженный участник


21/08/10
2404
amon в сообщении #1380704 писал(а):
"Эффективная масса определяется перекрытием S, P и d орбиталей".



То-то тут не то. Сколько одноузельные орбитали (любые) ни перекрывай, зону не получишь. Ширина зоны (а с ней и эффективная масса, хотя и не совсем прямолинейно) определяется переносом электрона между разными примитивными ячейками. Хотя, конечно, прямую роль играет здесь не интеграл перекрытия, а матричный элемент потенциала (между разными узельными функциями). Но чем больше перекрытие, тем больше матричный элемент (при отсутствии перекрытия он очевидно равен вообще нулю).

 Профиль  
                  
 
 Re: Снова про дырки и электроны в полупроводнике
Сообщение09.03.2019, 13:51 
Заслуженный участник
Аватара пользователя


30/01/06
72407
amon
Вы меня убедили, не буду ничего говорить, не читая конкретных статей.

 Профиль  
                  
Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Ответить на тему  [ Сообщений: 21 ]  На страницу Пред.  1, 2

Модераторы: photon, whiterussian, profrotter, Jnrty, Aer, Парджеттер, Eule_A, Супермодераторы



Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Найти:
Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group