По большому счёту эта тема имеет отношение к вопросу о неразрушающем анализе.
В современной науке - в теории цепей электронных приборов - теории нелинейных цепей существуют недоработки. Основные причины недоработок (ошибок):
1. Неправильные физические описания процессов. Наука электроника представляет процессы, происходящие в электронных приборах как "электронные" и ничего не сообщает о термодинамике процессов. В то же время: термодинамические и электродинамические процессы - это равноправные процессы, влияющие на электрон. Кроме электрического поля, существует и тепловое поле. И в электронных приборах эти поля по силе - соизмеримы. Именно это свойство позволяет создавать "электронное управление".
2. Считается, что правила Киргофа должны работать везде. Но это не так. В самом объекте управления (например, в базе биполярного транзистора) управляющий ток является и электрическим и тепловым током. Существует термин "инжекционный ток". Само физическое толкование термина неверно. Это просто электронный и тепловой ток одновременно. Попросту сказать: электроны переносят тепло. И от величины этого тепла будет зависеть выходной ток. Правил Киргофа в таком случае недостаточно. И в своём обычном виде они работать не должны. Между тем, теория нелинейных цепей эти правила везде насаждает. В управляющей системе, даже в двухполюсниках - диодах имеются одна (по электрическому процессу), а иногда и вторая (по тепловому процессу) ООС. Об этом молчит физика. Теория нелинейных цепей слабо адаптирована к ООС и навязывает упрощённую математику в виде ИТУН, ИНУН и др.
В трёхполюсниках, например в биполярных транзисторах, на фоне ООС, возникают ПОС. Это проявляется в постепенном вытеснении ООС и переходе в ПОС. Опять, же в физике не понимают что происходит на самом деле, и изобретают эффекты: эффект Кирка, эффект Эрли.
Параметры, получаемые при исследовании четырёхполюсника дают очень упрощённую картину, и их приходится использовать из-за пробелов в физике.
Об анализе и синтезе.
Я пытаюсь исследовать биполярные транзисторы, разобраться как работает физика, и получить математическое описание в виде "эмиссионного" уравнения и влияющих ООС и ПОС. (Об эмиссионном уравнении здесь:
http://electron.totalh.net/ http://electron.totalh.net/main/thermo/empiric/ http://dxdy.ru/topic83280.html)
Для этого я применяю анализ - ставлю опыты, снимаю ВАХ (есть несколько схем и к ним привязаны несколько ВАХ, представленных как функции) в зависимости от температуры.
Затем, с помощью аналитических функции ( в основном - эмиссионного уравнения) создаю мат. модели. Это синтез.
Если у Вас стоит вопрос об анализе (неразрушающем), то...
этот анализ-контроль бывает разный.
1. Встроенный контроль - в микросхему встраиваются некоторые датчики. Здесь может помочь теория ремонта и диагностики.
2. Если анализируется вообще неизвестная схема, то здесь есть опасность эту схему "убить" при измерении. Так, например, туннельные диоды не выживают, если ток через него был более нескольких миллиампер. К тому же они сгорают при приложении обратного напряжения с таким же маленьким током.
При анализе неизвестной схемы вообще сложно делать выводы.
Так, например, я могу исследовать маломощные биполярные транзисторы. Когда я исследую мощные, я понимаю, что внутри него может быть несколько маломощных транзисторов, соединённых параллельно. Это иногда полностью убивает все попытки получить мат. модель. Исправить ситуацию может тот случай, когда мы имеем информацию о геометрических размерах и химическом составе полупроводникового прибора. Тогда исследование становиться более информативным.
