OsmiyМои предположения такие же: термогенерация, или фотоэффект. Осталось только
обосновать преобладающие эффекты, объяснить отсутствие парадокса в германии и в "оборванном эмиттере".
4. Попытаюсь выделить отличия и особенности ПП структур транзисторов (конкретные цифры достаточно условны, и составляют нечто среднее для БТ транзисторов).
У кремниевых отличия, на мой взгляд, такие:
4.1. Схема с оборванным коллектором.
- Область пространственного заряда обратносмещённого перехода БЭ имеет на порядок большую протяжённость в базе, чем в эмиттере, и составляет при Uобр.=6В около 1мкм, и, соответственно, генерация носителей обратного тока происходит ближе к коллектору.
- Длина свободного пробега носителей в коллекторе до момента рекомбинации составляет порядка 30мкм.
- Время жизни основных носителей в коллекторе условно составляет 1 мкс.
4.2. Схема с оборванным эмиттером.
- Область пространственного заряда обратносмещённого перехода БК имеет на порядок большую протяжённость в коллекторе, чем в базе, и составляет при Uобр.=6В около 1,5...2,0мкм, и, соответственно, генерация носителей обратного тока происходит дальше от эмиттера.
- Длина свободного пробега носителей в эмиттере до момента рекомбинации составляет порядка 0,2...0,5 мкм.
- Время жизни основных носителей в эмиттере условно составляет 0,01 мкс.
- Ток утечки перехода б-э гораздо больше чем утечка б-к.
5. Выводы.
- Возможно, мы не наблюдаем эффекта в оборванном эмиттере, т.к. ещё "по дороге" есть база; там длина свободного пробега поменьше, и эмиттер получается "экранирован" от коллектора базой.
- И длина свободного пробега, а, соответственно, и время жизни в эмиттере намного меньше чем в коллекторе.
P.S. За пределами обсуждения пока остались: туннельный эффект, влияние "горячих" электронов, влияние эффекта Дембера (различная скорость диффузии дырок и электронов),и кваннтовые "чудеса".