Решение задачи по физике полупроводников, сверхрешетки

[grustniyelf]

Задача:
В полупроводнике (GaAs) имеется структура типа p-n-p; концентрации дырок по обе стороны структуры $p_0 = 10^{18} \text{см}\,^{-3}$; концентрация доноров в n- области $N_D = n_0 = 10^{18} \text{см}\,^{-3}$. Рассчитать длину волны Де-Бройля в n-области и число атомных слоев, при котором толщина n-области равна длине волны Де-Бройля. Какова при этом поверхностная (двумерная) концентрация электронов?

Вопрос про длину волны де Бройля, нигде не могу найти как на нее влияет легирование и влияет ли вообще.

По определению

$\lambda_{D-B}=\frac h {(2m^*(E-E_0))^{1/2}}$

По логике, вроде, в n области она должна увеличиться, ибо вероятность обнаружения электрона явно растет, вопрос как это учесть?

[Pphantom]

Тема перемещена из форума «Помогите решить / разобраться (Ф)» в форум «Карантин»
по следующим причинам:

- неправильно набраны формулы/обозначения (краткие инструкции: «Краткий FAQ по тегу [math]» и видеоролик Как записывать формулы).

Исправьте все Ваши ошибки и сообщите об этом в теме Сообщение в карантине исправлено.
Настоятельно рекомендуется ознакомиться с темами Что такое карантин и что нужно делать, чтобы там оказаться и Правила научного форума.

[Pphantom]

Тема перемещена из форума «Карантин» в форум «Помогите решить / разобраться (Ф)»