Два пункта.
Во-первых, измерил 660 нм (
эВ). Приложил напряжении 1.7 В. Осциллограф не показывал никаких отклонений от постоянного сигнала. Это значит, что измеренное напряжение в точности соответствует приложенному.
Во-вторых, это ровно никак не влияет на закон сохранения энергии. Почему - сейчас расскажу.
Напряжение, которое необходимо приложить к светодиоду для того чтобы тот начал светиться, зависит в общем случае от уровней ферми в узкозонной и широкозонной области, от того как расположены друг относительно друга разрешённые зоны и уровни вакуума, от того, какое было настроение у того, кто эти светодиоды готовил, от того, сколько там потенциальных барьеров - и так далее. Это напряжение может быть меньше ширины запрещённой зоны узкозонного материала, а может быть больше (так чаще всего и бывает). Если оно окажется равным, то только в результате забавного совпадения. Да и не должно быть равным.
В области гетероперехода уже есть изгиб зон и потенциальный барьер, поэтому единственное, что делает приложенное напряжение - это тащит носители к области барьера, где они соберутся и начнут рекомбинировать. В ходе рекомбинации пары будут испускать фотоны с длиной волны равной ширине запрещённой зоны, просто потому что никакую другую они не выдадут. Ну там плюс-минус
, но это не считается.
Пусть светодиод уже вышел на линейный участок ВАХ, но пока не достиг номинального напряжения. На нём не столько вольт, как положено, а процентов на десять меньше. Но потенциальный барьер для электронов уже есть, и дырки мимо него пролетают, так что рекомбинация идёт. Она излучательная, потому что почему бы и нет, но вероятность её на порядок меньше, чем положено: носителей меньше из-за меньшего тока, плюс концентрация размазана на потенциальную яму большей ширины, а сама вероятность зависит от концентрации квадратично. Носители уносят энергию равную ширине запрещённой зоны, а приносят меньше. Если бы вероятность излучательной рекомбинации была 100%, то светодиод бы охлаждался. Но она не 100%, так что всё хорошо.
Куда девается избыток энергии, полученный в результате безызлучательной рекомбинации? Он идёт на нагрев решётки. Постоянно идёт термический заброс электронов в зону проводимости, откуда они потом снова сваливаются в валентную зону с излучением фотона.
Так и живём.
-- 22.03.2018, 13:19 --Да, и пока не забыл. Сто процентов излучательной рекомбинации вы получить никогда не сможете. Поэтому сам вопрос "что бы было, если бы вероятность излучательной рекомбинации был 100%" лишён смысла в той же степени, что и "как поведёт себя нерастяжимая нить в СТО".
Даже сделав бездефектный и беспримесный кристалл, вы в лучшем случае уменьшите вероятность рекомбинации на глубоких центрах. А вот Оже-рекомбинация будет всегда, и чем больше инжекция носителей, тем больше её вероятность. И зависит она только от концентрации носителей, никакой очисткой её вы не уберёте.