Почему EEPROM можно перезаписать больше раз, чем flash?

[tohaf]

Вот я прочитал, что у eeprom запись осуществлялась с помощью инжекции горячих носителей, а стирание - квантовым туннелированием.
Как я понял, чисто с механической точки зрения - разница лишь в толщине изолятора.
У flash и запись, и стирание с помощью туннелирования...
Вопрос такой тогда - почему, если при туннелировании заряда повреждения изолятора меньше, eeprom имеет больший жизненный цикл?
Или это вызвано только фактом того, что не нужно каждый раз целые страницы переписывать, а можно работать по-байтно?

[realeugene]

Флеши тоже разные бывают. У современных особо плотных NAND последнего поколения ресурс гораздо меньше, чем у предыдущего. Думаю, это связано с размером ячеек и с более жёсткими другими допусками. Чем они меньше - тем ячейки легче повреждаются и быстрее стареют. У флешей, как я слышал, заряд при перезаписях понемногу застревает внутри диэлектрика, смещая в результате порог между нулём и единицей, приводя в конце концов к ненадёжному считыванию значения, записываемого в ячейку. В принципе, даже этот небольшой ресурс в несколько тысяч перезаписей производители современных флешей могут гарантировать только при использовании продвинутых алгоритмов считывания и очень мощных длинных кодов коррекции ошибок.

[tohaf]

realeugene, интересно, спасибо.

[Pavia]

tohaf в сообщении #1291119 писал(а):

Почему EEPROM можно перезаписать больше раз, чем flash?

По определению одинаково. Flash это и есть EPPROM, только с функцией блочного стирания.

[Dmitriy40]

Вероятно всё дело в нормах техпроцесса и соответственно размерах ячеек, у EEPROM они большие и надёжные, но плотность их невелика, потому память большого объёма не производят, в отличии от flash, для которой объём памяти важнее.

[Pavia]

Dmitriy40 в сообщении #1291305 писал(а):

Вероятно всё дело в нормах техпроцесса и соответственно размерах ячеек, у EEPROM они большие и надёжные, но плотность их невелика, потому память большого объёма не производят, в отличии от flash, для которой объём памяти важнее.

Не пишите если неразбираетесь. Термины Flash и EEPROM означают характеристику интерфейса микросхемы, а не её внутреннее устройство. Поэтому внутренни они могут быть организованы как угодно. Сейчас вон флешь-диски на резестивной памяти делают и у них ресурс бесконечный.
Термин flash это ребрендинг EEPROM. Слово по короче звучит лучше. А человек такое существо что стремится к оптимальности. А сказачка про скорлсть стирания, только укрепляет веру. Поэтому в 90-тых все EEPROM были просто переименованы во FLASH.

А круглые цифры в 1000, 100000 должны сказать вам что это не физические ограничения техпроцесса а то на сколько инженеры захотели, пожелали испытать своё изделие.

[realeugene]

Pavia в сообщении #1291318 писал(а):

А круглые цифры в 1000, 100000 должны сказать вам что это не физические ограничения техпроцесса а то на сколько инженеры захотели, пожелали испытать своё изделие.

А число 3000 о чём вам говорит? Мне оно говорит о том, что из-за физических и технологических ограничений техпроцесса гарантировать сильно больше не получается. Ну а испытать на миллион перезаписей раз плюнуть. Было бы что испытывать.

-- 09.02.2018, 11:20 --

Pavia в сообщении #1291318 писал(а):

Термин flash это ребрендинг EEPROM.

Всё же не совсем. Физически процесс один, архитектура разная. Флешами не называют EEPROM с побайтным стиранием. Соответственно, и цели их проектирования, и области применения разные. В EEPROM важна индивидуальная надёжность каждой ячейки, во флешах - максимальный объём при некотором стандартном (своём для каждого их поколения)и при этом невысоком уровне надёжности хранения отдельных битов и некоторыми неудобствами, связанными только с поблочным стиранием.

И, вообще говоря, физически EEPROM не сильно от EPROM с УФ стиранием отличаются. Всё тот же туннелирующий плавающий заряд, смещающий порог открытия полевика. И всё печётся на кремниевой пластине, так что, и с SRAM тут можно увидеть аналогию.

-- 09.02.2018, 11:28 --

Pavia в сообщении #1291318 писал(а):

Сейчас вон флешь-диски на резестивной памяти делают и у них ресурс бесконечный.

По объёму они пока что сильно отстают. "Ресурс бесконечный" - это тоже сказка, на которую некоторое время назад потребители MRAM нарвались. Когда производители в какой-то момент сильно уменьшили задним числом оценку количества перезаписей. И "вечный" чип стал вдруг немного не таким вечным, хоть и изнашивающимся медленнее.

[Dmitriy40]

Насчёт надёжности и ресурса, на время хранения мы конечно не проверяли, а вот на ресурс - да. Когда ещё писали прошивки для АОНов (были такие изделия), то там память данных была Microchip I2C EEPROM с ресурсом 1М циклов - и вот его как раз и проверяли на нескольких экземплярах, натурально впаяли новую и поставили счётчик крутиться с максимальной скоростью с проверкой записи с показом на индикаторе. Останавливался он каждый раз примерно после 1,2-1,3 миллионов циклов. Так что цифры производителя взяты не так уж и с потолка.

[realeugene]

(Оффтоп)

Dmitriy40 в сообщении #1291350 писал(а):

Когда ещё писали прошивки для АОНов (были такие изделия), то там память данных была Microchip I2C EEPROM с ресурсом 1М циклов - и вот его как раз и проверяли на нескольких экземплярах,

Это не те самые изделия, в которых последнее текущее время записывалось в EEPROM раз в минуту в одну и ту же ячейку, и которые через два года гарантированно из-за этого ломались?

[Dmitriy40]

(Оффтоп)

realeugene в сообщении #1291365 писал(а):

Dmitriy40 в сообщении #1291350 писал(а):

Когда ещё писали прошивки для АОНов (были такие изделия), то там память данных была Microchip I2C EEPROM с ресурсом 1М циклов - и вот его как раз и проверяли на нескольких экземплярах,

Это не те самые изделия, в которых последнее текущее время записывалось в EEPROM раз в минуту в одну и ту же ячейку, и которые через два года гарантированно из-за этого ломались?

Те самые. Только когда я с ними был связан, мы сделали размазывание минут по 5-ти ячейкам и расчётное время работы более 10 лет. Но уже лет 5 как приходят люди и приносят телефоны в ремонт именно из-за глюков со временем - перепайка 24lc32, перезапуск и вуаля, можно ещё лет 10 наслаждаться.
Скорее всего когда эта засада с 2 годами обнаружилась (вероятно в середине 1999г, нашёл исходник за март 1999г без дублирования минут) - тогда и проводили тест ресурса.