Инверсия проводимости эмиттера

[Battletos]

Всем доброго времени суток!
Решаю такую задачу: рассматривается pn переход на примере перехода эмиттер-база в биполярном n-p-n транзисторе. Для простоты переход плоский.

$W$-ширина области пространственного заряда (ОПЗ), $x_1$ и $x_2$ - границы ОПЗ
К нему нужно приложить смещение таким образом, чтобы:
а) при обратном смещении эмиттер полностью обеднялся подвижными носителями, дабы остались только неподвижные ионизированные доноры, заряженные положительно, что будет вести к инверсии проводимости
б) при прямом смещении избыток дырок из p-области базы, переходя в эмиттер и прорекомбинировав с имеющимися электронами, насытил эмиттер положительным зарядом, что тоже будет вести к инверсии проводимости.
По идее, для обоих этих условий нужно, чтобы концентрация доноров в n-области $N_d$ была меньше, чем акцепторов в p-области $N_a$.
Задачу под а решал простым способом: в формулу для ширины ОПЗ в n-области
$x_1= \sqrt \frac {2 \varepsilon \varepsilon_0 Na (\varphi_{k} - U)}{e Nd (Nd + Na)}$.
при заданных концентрациях подбирал обратное напряжение.
А вот задачу под б понятия не имею, с чего начинать.
Проверьте, пожалуйста, можно ли так решать задачу а, как написано выше, и как подступиться к задаче б. Заранее спасибо!