pn-переход

[Flam]

Здравствуйте!
ПОДСКАЖИТЕ ПОЖАЛУЙСТА:
Как связаны высота потенциального барьера и ширина запрещённой зоны?
Заранее спасибо!

[nestoklon]

(Оффтоп)

Flam в сообщении #428825 писал(а):

Как связаны высота потенциального барьера и ширина запрещённой зоны?

Непосредственно.

[Flam]

Цитата:

Непосредственно.

О, ОГРОМНОЕ СПАСИБО


Своим ответом вы открыли мне глаза.

Даже не знаю как вас благодарить.

Этот форум просто находка.

[Shahirrim]

Высота потенциального барьера определяется: $\phi_k=\frac{kT}{q}\ln{\frac{N_aN_d}{n_i^2}}$ (1)
Собственная концентрация в свою очередь равна: $n_i=\sqrt {N_cN_v}e^{-\frac {E_g}{2kT}}$ (2)
Подставляем (2) в (1) и получаем связь: $\phi_k=\frac{kT}{q}\ln{\frac{N_aN_d}{N_cN_ve^{-\frac {E_g}{kT}}}}=\frac{kT}{q}\ln{\frac{N_aN_d}{N_cN_v}}+\frac{E_g}{q}$
То есть у широкозонных полупроводников потенциальный барьер выше, чем у узкозонных (Si ~ 0.7 эВ барьер, Ge ~ 0.3 эВ)