Возвращаясь к идее реализации памяти на отрицательном дифференциальном сопротивлении: одна из главных проблем состояла в том, что такие устройства не могли быть изготовленны в стандартном технологическом процессе CMOS. Беря за основу эту статью
C. Wu, and K.-N. Lai, "Integrated
![$\lambda$ $\lambda$](https://dxdy-04.korotkov.co.uk/f/f/d/8/fd8be73b54f5436a5cd2e73ba9b6bfa982.png)
-type differential negative resistance MOSFET device," IEEE J. Solid-State Circuits, 1979, SC-14, pp. 1094–1101
китайские мастера изготовили и проверили массу схем, вот одна из них
D.-S. Liang, et al, "Design of AND and NAND Logic Gate Using NDR-Based Circuit Suitable for CMOS Process," IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems (APCCAS) 2006, pp.1325-1328.
http://eportfolio.lib.ksu.edu.tw/user/T ... 318483.pdfДва других CMOS совместимых подхода родом из Ирландии и Бельгии соответственно:
R. Duane, A. Mathewson, and A. Concannon, "Bistable gated bipolar device," IEEE Electron Device Lett., Vol. 24, 2003, pp.661-663.
D. Levacq, C. Liber, V. Dessard, and D. Flandre, "Ultra Low-Power design techniques using special SOI MOS diodes," IEEE Int. SOI Conf., 2003, pp.19-20.
![Изображение](http://www.ee.bgu.ac.il/~kushnero/temp/ndrlatch.png)