При обратном смещении на переходе более 1 В, светодиод запирается и сигнал с него отсутствует при любой мощности возбуждения.Последнее говорит о том, что эффект возникновения тока через переход происходит за счет резонансного поглощения энергии внешнего источника света
Что-то я ничего не понял (может Новый Год сказывается)...
Хоть предыдущий НГ уже достаточно далеко, и до предстоящего не столь уж близко, я, даже прочтя всю дискуссию по теме, понял тоже не много. Для начала, мне совершенно непонятно, зачем подавать на фото(свето)диод обратное смещение. Хотя это, собственно, во-вторых. Прежде же всего мне непонятно какой смысл автор вопроса вкладывает в постоянно используемый им термин "резонансное поглощение"? Резонансное по какому параметру, если не секрет?
И всё - таки непонятно, чем вызвано резонансное поглощение энергии света, свойствами самого полупроводника или самого света?
И далее...
Если посмотреть проходную характеристику этой оптопары, то можно ясно увидеть, что там присутствует нелинейность, а это говорит о том, процесс поглощения света имеет резонансный характер.
И где Вы на данном графике углядели резонанс? По-моему, зависимость имеет типичный характер насыщения. Но так себя ведёт любой фотодиод! Как бы Вы сильно на него ни светили, более чем ~ 0.5—0.7 V Вы с него не снимете.