Пусть имеется n-p-n-транзистор в активном режиме, например, по схеме ОЭ. В книгах по твердотельной электронике процесс появления базового тока описывают двояко:
1. Источник, приложенный к эмиттерному переходу в прямом направлении, своим полем понижает потенциальный барьер, отчего часть электронов из эмиттера оказываются способны его преодолеть - начинается инжекция. Хоть база и тонкая, но часть этих электронов всё равно не достигает коллектора, уходя в цепь базового электрода или рекомбинируя с дырками базы, что приводит к отрицательному заряду базы и "притягивания" в базу дырок(т.е. к уходу их из базы по валентной зоне). В этом объяснении получается, что ток базы - некое побочное следствие неидеальности транзистора, а причина инжекции - доп. поле, созданное батарейкой в эмиттерном переходе
2. Говорится, что источник, приложенный к эмиттерному переходу в прямом направлении, осуществляет поступление дырок в базу, они своим присутствием(зарядом) понижают потенциальный барьер, электроны из эмиттера устремляются через него, и пока какой-нибудь электрон рекомбинирует с дыркой,
электронов достигнут-таки коллектора. В этом объяснении ток базы, введённые в неё доп. дырки - это именно то, что запускает инжекцию электронов из эмиттера через барьер.
Мне кажется, что это разные объяснения. Прежде всего такой вопрос: а может ли батарейка между базой и эмиттером вот так взять, и понизить(объяснение 1) потенциальный барьер без дрейфа дырок и электронов к эмиттерному переходу? Думается, что нет.