Внутренние токи транзистора в режиме насыщения

[EUgeneUS]

peg59
Это всё, конечно, верно. И даже интересно (кому-то, кто не знал).
Но, насколько понял, ТС в курсе, что происходит вне кристалла.
Ему интересно, что происходит внутри кристалла в режиме насыщения. А особенно, в области когда, напряжение коллектор-эмиттер становится меньшим, чем база-эмиттер.
Мне, кстати, тоже интересно. Хотелось бы заслушать уважаемых Alex-Yu и amon.
Потому что в тех букварях, которые я читал, давались объяснения,
а) как-то годные для модели $I_C = \beta I_B$
б) но совершенно не годные для модели Эберса-Молла.

[Munin]

Alex-Yu
Грубо.

-- 19.02.2020 20:57:59 --

EUgeneUS в сообщении #1440436 писал(а):

Мне, кстати, тоже интересно.

Но уже произнесённого ответа услышать не хочется. Потому что автор рожей не вышел. Мило. Или потому что правда глаза колет.

[peg59]

EUgeneUS в сообщении #1440436 писал(а):

peg59
интересно, что происходит внутри кристалла в режиме насыщения. А особенно, в области когда, напряжение коллектор-эмиттер становится меньшим, чем база-эмиттер.

Происходит примерно то же самое, что и в активном режиме. Неосновные носители, поставляемые в базу током эмиттера, хаотически блуждая по базе, проваливаются в потенциальную яму коллекторного перехода. Когда напряжение КБ уменьшается до нуля, или даже меняет знак (смещая переход КБ в прямом направлении), глубина потенциальной ямы перехода КБ уменьшается (уменьшается и ширина перехода), неосновных носителей проваливается в переход КБ меньше (уменьшается коэфф. усиления тока $\beta$), и когда прямое смещение достигает величины контактной разности перехода, от ямы не остается и следа, ток коллектора становится равным нулю (и $\beta$ тоже).

[Alex-Yu]

Munin в сообщении #1440465 писал(а):

Alex-Yu
Грубо.

Зато адекватно.

-- Чт фев 20, 2020 04:02:47 --

EUgeneUS в сообщении #1440436 писал(а):

Ему интересно, что происходит внутри кристалла в режиме насыщения. А особенно, в области когда, напряжение коллектор-эмиттер становится меньшим, чем база-эмиттер.
Мне, кстати, тоже интересно.

Ниже речь про схему с ОЭ.

1.То, что в режиме насыщения напряжение между выводами база-эмитер больше, чем эмитер-коллектор, знает любой, кто реально работал с транзисторами.

2. Надо отличать напряжения, указанные в п.1. от напряжений между соответствующими полупроводниковыми областями.

3. Тем не менее, в режиме насыщения коллекторный переход обычно все же смещен в прямом направлении. Но эмитерный переход смещен в прямом направлении сильнее. Поэтому ток, инжектированный из коллектора меньше тока, инжектированного из эмитера. В итоге в цепи коллектор-эмитер есть ток такого же направления, что и в активном режиме. И только когда потенциал коллектора сравняется с потенциалом эмитера, эти токи в цепи эмитер-коллектор полностью скомпенсируются и останется только часть этих токов, ответвляющаяся в базу (здесь происходит суммирование, в отличие от цепи коллектор-эмитер, где происходит вычитание).

[Munin]

Alex-Yu в сообщении #1440489 писал(а):

Зато адекватно.

Угу. Я уже понял, что в биполярных транзисторах, как в футболе, каждый специалист. Я умываю руки.

[Alex-Yu]

Добавлю.

Atom001 в сообщении #1439800 писал(а):

во-первых, в КП внешним источником создано поле, препятствующее экстракции дырок в коллектор,

Но там еще есть контактное поле перехода, которое как раз наоборот заталкивает дырки из базы в коллектор. Так что кто еще кого "пересилит". Впрочем, кто-то выше об этом уже писал.