Здравствуйте!
В поисках понимания работы МОП-транзистора придумал задачу.
К сожалению отсутствует возможность найти её решение на практике (нет кристального производства в распоряжении).
Схема эксперимента приведена на рисунке
Круглая четырёхслойная заготовка помещена в плоскость катушки (изображена в виде семи витков), питаемой от источника переменного тока.
Четырёхслойная заготовка представляет собой полупроводниковую пластину (П-П) p-типа поверх которой расположен слой изолятора (И) и далее слой металлизации (Ме). Снизу на полупроводниковую пластину нанесен невыпрямляющий контакт (Н.К.).
От транзистора с индуцированным каналом отличается отсутствием истока и стока (в этом смысл эксперимента).
Таким образом, получается трансформатор, в котором вторичной обмоткой является МДП-структура. Сопротивление (активное и индуктивное) трансформируется в первичную цепь и, следовательно, может быть измерено.
Вопрос состоит в том, как будет изменяться наблюдаемая проводимость заготовки, если прикладывать напряжение (+) к контакту (Ме), (-) к (Н.К.) (то есть для МОП-транзистора это было бы отпирающее напряжение).
(Примечание: на практике слои (Ме) и (Н.К.) должны быть достаточно высокоомными, чтобы не происходило сильного экранирования; кроме того, полупроводниковая заготовка не должна быть слишком толстой, чтобы наблюдать заметный эффект).
Могу предположить, что всё очень просто - появление положительного заряда на слое (Ме) приводит к тому, что дырки (в результате отталкивания) уходят из полупроводника через контакт (Н.К.) (конечно не все, а только из слоя некоторой толщины). То есть количество носителей в заготовке уменьшается, а значит и проводимость.
