Свойства pn-перехода при обратном включении

[Oleg58]

Здравствуйте!

В институте о процессах протекающих в p-n переходе нам рассказывали так очень поверхностно
Говорили следующее:

В момент "объединения" полупроводников p и n типа, свободные электроны (1) из n области диффундируют в p область и рекомбинируют с дырками. Превращая атом в отрицательно заряженный ион.
В свою очередь дырки (2) диффундируют в n область и рекомбинируют с электронами превращая атомы в положительно заряженные ионы.
Появляется электрическое поле E, который препятствует процессу дальнейшей диффузии свободных носителей заряда.


Подключим источник напряжения. "+" к n области, а "-" к p области.
Говорили, что мы тем самым как бы "усиливаем" внутреннее поле E.

Вопрос: почему это "усиленное" поле не заставляет обратно переместится электроны из p области, а дырки из n области (имею ввиду те электроны и дырки, которые в результате процесса диффузии ионизировали атомы на границе раздела сред)?

[Ascold]

Так после рекомбинаций же в p-n переходе получается не просто "место с полем в полупроводнике", а практически диэлектрик(свободных носителей заряда в переходе нет, поскольку рекомбинация дырок из p-области с электронами в n-области означает, что электроны проводимости сели в валентную зону, на вытаскивание их откуда потребуется энергия). Иногда это может случиться(у электронов в валентной зоне ещё и кинетическая энергия, связанная с тепловой скоростью), но нечасто - высокоэнергетичных электронов мало.

[SVD-d]

Oleg58 в сообщении #1298370 писал(а):

поле не заставляет обратно переместится электроны из p области, а дырки из n области

Если просто - потому что они уже рекомбинировали. То есть, их там просто нет. Если чуть сложнее...

Вы представляете, откуда до "соединения" слева взялись электроны? И откуда справа - дырки?