2014 dxdy logo

Научный форум dxdy

Математика, Физика, Computer Science, Machine Learning, LaTeX, Механика и Техника, Химия,
Биология и Медицина, Экономика и Финансовая Математика, Гуманитарные науки




На страницу Пред.  1, 2
 
 Re: резонасное поглощение энергии света в полупроводниках
Сообщение02.01.2015, 18:14 
Аватара пользователя
Виноват, на моем сленге приборы это светодиоды. Если при таком включении ток через фотоприемник есть, диоды исправны.

 
 
 
 Re: резонансное поглощение энергии света в полупроводниках
Сообщение07.01.2015, 17:52 
Аватара пользователя
И всё - таки непонятно, чем вызвано резонансное поглощение энергии света, свойствами самого полупроводника или самого света?

 
 
 
 Re: резонасное поглощение энергии света в полупроводниках
Сообщение08.01.2015, 16:48 
Аватара пользователя
starpom, у вас в первом сообщении темы несколько несвязанных между собой предложений. Непонятно на что отвечать и вообще причём здесь резонансное поглощение.

 
 
 
 Re: резонансное поглощение энергии света в полупроводниках
Сообщение10.01.2015, 22:42 
Аватара пользователя
ArtDen

Если посмотреть проходную характеристику этой оптопары, то можно ясно увидеть, что там присутствует нелинейность, а это говорит о том, процесс поглощения света имеет резонансный характер.

Изображение

 
 
 
 Re: резонасное поглощение энергии света в полупроводниках
Сообщение01.04.2015, 16:02 
езультате чего во внутренней структуре образуются носители заряда группирующиеся в p-n переходе.
Отсюда вопрос, связано ли это со свойствами самого полупроводника или это свойства излучения?

 !  profrotter:
Замечание за спам. Рекламная ссылка удалена.

 
 
 
 Re: резонасное поглощение энергии света в полупроводниках
Сообщение09.11.2015, 21:31 
amon в сообщении #955450 писал(а):
starpom в сообщении #955446 писал(а):
При обратном смещении на переходе более 1 В, светодиод запирается и сигнал с него отсутствует при любой мощности возбуждения.Последнее говорит о том, что эффект возникновения тока через переход происходит за счет резонансного поглощения энергии внешнего источника света

Что-то я ничего не понял (может Новый Год сказывается)...

Хоть предыдущий НГ уже достаточно далеко, и до предстоящего не столь уж близко, я, даже прочтя всю дискуссию по теме, понял тоже не много. Для начала, мне совершенно непонятно, зачем подавать на фото(свето)диод обратное смещение. Хотя это, собственно, во-вторых. Прежде же всего мне непонятно какой смысл автор вопроса вкладывает в постоянно используемый им термин "резонансное поглощение"? Резонансное по какому параметру, если не секрет?
starpom в сообщении #958023 писал(а):
И всё - таки непонятно, чем вызвано резонансное поглощение энергии света, свойствами самого полупроводника или самого света?


И далее...
starpom в сообщении #959693 писал(а):
Если посмотреть проходную характеристику этой оптопары, то можно ясно увидеть, что там присутствует нелинейность, а это говорит о том, процесс поглощения света имеет резонансный характер.

И где Вы на данном графике углядели резонанс? По-моему, зависимость имеет типичный характер насыщения. Но так себя ведёт любой фотодиод! Как бы Вы сильно на него ни светили, более чем ~ 0.5—0.7 V Вы с него не снимете.

 
 
 [ Сообщений: 21 ]  На страницу Пред.  1, 2


Powered by phpBB © 2000, 2002, 2005, 2007 phpBB Group