всё он понял, товарищ просто упорот :mrgreen:
Глядя на вас, я бы не сказал, что только он...
вот здесь привёл ему вашу цитату
Мило. Без указания авторства. Спасибо большое, разумеется!
По поводу спора: iXBT - местами, увы, тусовка всевозможных ламеров. Перлы сыплются со всех сторон. Перечислять их не буду.
Когда серьёзные люди (проектировщики СБИС) рассматривают проблему быстродействия (КМОП-схем, а не скажем, памяти), то рассматривают не один транзистор, а как минимум последовательность из МОП-транзистора и ведущего к нему или от него межсоединения, а то и два КМОП-каскада с межсоединением между ними. Электрически это составляет по эквивалентной схеме замещения:
- сопротивление канала транзистора первого каскада;
- сопротивление и ёмкость линии межсоединения;
- ёмкость затвора транзистора второго каскада.
Упрощённо, рассматривается переходной процесс в RC-цепочке, который начитается в момент переключения первого каскада, и когда он завершится, можно считать переключившимся второй каскад. Никакая "скорость перемещения электронов" здесь ни при чём, а играют роль токи и напряжения, и определяющие их сопротивления и ёмкости. Постоянная времени RC-цепочки
Чтобы увеличить скорость переключения, можно:
- уменьшить сопротивление канала - то есть, сделать его шире;
- уменьшить ёмкость затвора - то есть, сделать его меньше по площади;
- уменьшить сопротивление межсоединения - то есть, сделать его короче, шире и толще;
- уменьшить ёмкость межсоединения - то есть, сделать его короче и у́же, подальше от соседних межсоединений.
Легко видеть, что эти идеи входят в противоречие: выиграешь в одном - проиграешь в другом. В целом, можно добиться увеличения быстродействия схемы, уменьшая все её горизонтальные размеры - норму техпроцесса (то самое число нанометров, за которое идёт борьба, - по сути, это длина канала транзистора).
Однако, в игру вступают и другие факторы. Большой схеме позволительно иметь большое энергопотребление, а маленькая начинает перегреваться. Можно уменьшить нагрев, снижая напряжение питания, но при этом КМОП-каскады начинают переключаться медленней, к тому же растёт сквозной ток каскадов, ведя опять же к нагреву, подсаживанию питания и прочим эффектам. В конце концов, всю схему в целом можно оптимизировать не по быстродействию, а по другим параметрам, прежде всего по энергопотреблению - что стало актуальным для мобильных устройств.
И на барахольном уровне, пожалуйста, не ведите обсуждение на форуме dxdy.ru.
-- 08.06.2015 12:16:49 --Один из факторов, определяющий время срабатывания транзисторного ключа на МОП-транзисторе - это время пролёта электронов через канал. Я уже писал.
Ну-у-у, это в очень оптимальных условиях...
